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1. (WO2018123351) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
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国際公開番号: WO/2018/123351 国際出願番号: PCT/JP2017/041735
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 21.11.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/08 (2012.01) ,B24B 37/28 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
04
平面を加工するために設計されたもの
07
工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
08
両面ラッピングのためのもの
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
27
ラッピングキャリア
28
平面の両面ラッピングのためのもの
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
浅井 一将 ASAI Kazumasa; JP
高野 智史 TAKANO Tomofumi; JP
古川 大輔 FURUKAWA Daisuke; JP
轟 翔 TODOROKI Sho; JP
木田 隆広 KIDA Takahiro; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-25152326.12.2016JP
発明の名称: (EN) CARRIER FOR DUAL-SURFACE POLISHING DEVICE AND DUAL-SURFACE POLISHING DEVICE USING SAME, AND DUAL-SURFACE POLISHING METHOD
(FR) SUPPORT POUR DISPOSITIF DE POLISSAGE À DOUBLE SURFACE ET DISPOSITIF DE POLISSAGE À DOUBLE SURFACE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE À DOUBLE SURFACE
(JA) 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法
要約:
(EN) The present invention provides a carrier for a dual-surface polishing device in which, in a dual-surface polishing device, one or more holding holes, which are disposed between upper and lower platens to which a polishing cloth is attached, for holding a semiconductor wafer sandwiched between the upper and lower platens during polishing are formed. The carrier for a dual-surface polishing device is characterized in that the surface of the carrier has a region covered with a DLC film and a region not covered with the DLC film, and on the upper surface and the lower surface of the carrier, a region of 30% or less of the area of one of the surfaces of the carrier, from the tooth bottom of a gear on the outer periphery of the carrier to the inside thereof, is covered with the DLC film. As a result of the feature of this carrier, it is possible to provide: a carrier for a dual-surface polishing device that is capable of preventing deterioration of a wafer shape while maintaining improvement on wafer surface defects in dual-surface polishing of a semiconductor wafer, and a dual-surface polishing device using the carrier; and a dual-surface polishing method.
(FR) La présente invention concerne un support pour un dispositif de polissage à double surface dans lequel, dans un dispositif de polissage à double surface, un ou plusieurs trous de maintien, qui sont disposés entre des plateaux supérieur et inférieur auxquels est fixé un tissu de polissage, pour maintenir une tranche de semiconducteur prise en sandwich entre les plateaux supérieur et inférieur pendant le polissage. Le support pour un dispositif de polissage à double surface est caractérisé en ce que la surface du support a une région recouverte d'un film DLC et une région non recouverte du film DLC, et sur la surface supérieure et la surface inférieure du support, une région de 30 % ou moins de la surface de l'une des surfaces du support, depuis le fond de dent d'un engrenage sur la périphérie externe du support vers l'intérieur de celui-ci, est recouverte du film DLC. Grâce à la caractéristique de ce support, il est possible de fournir: un support pour un dispositif de polissage à double surface qui est capable d'empêcher la détérioration d'une forme de tranche tout en maintenant une amélioration sur des défauts de surface de tranche dans le polissage à double surface d'une tranche de semiconducteur, et un dispositif de polissage à double surface utilisant le support; et un procédé de polissage à double surface.
(JA) 本発明は、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が一つ以上形成された両面研磨装置用キャリアであって、該キャリアの表面は、DLC膜で覆われた領域と、前記DLC膜で覆われていない領域とを有し、前記キャリアの上面と下面のそれぞれの面において、前記キャリアの外周におけるギアの歯底から内側へ、前記キャリアの一方の面の面積の30%以下の領域が前記DLC膜で覆われたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアである。これにより、半導体ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハ表面不良の改善を維持しつつ、ウェーハ形状の悪化を防止することができる両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)