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1. (WO2018123347) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/123347 国際出願番号: PCT/JP2017/041680
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 20.11.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
24
けい素のみの析出
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
52
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
発明者:
辻 雅之 TSUJI Masayuki; JP
中村 元宜 NAKAMURA Motonori; JP
代理人:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
優先権情報:
2016-25106626.12.2016JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL SILICON WAFER PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE SILICIUM ÉPITAXIQUES
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
要約:
(EN) The present invention provides an epitaxial silicon wafer production method which provides excellent productivity while being capable of preventing generation of rear-surface fogging without requiring cleaning of a process chamber each time a single-wafer type epitaxial growth treatment is performed on multiple silicon wafers. The epitaxial silicon wafer production method according to the present invention comprises a transport-in step for a silicon wafer, a silicon epitaxial layer formation step, a transport-out step for the silicon wafer, and a cleaning step, wherein: the cleaning step is performed before and after a series of growth processes conducted by the transport-in step, the silicon epitaxial layer formation step, and the transport-out step is repeated a prescribed number of times; correspondence relationship between the total number of times that replacement of nitrogen gas within a transfer chamber is performed and the maximum number of times that processing count for the series of growth processes is performed, is preliminarily determined; and the prescribed number of times the series of growth processes is to be repeated is configured to be within the maximum number of processing count.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de plaquettes de silicium épitaxiques qui assure une excellente productivité tout en pouvant empêcher la génération de voilage de surface arrière sans nécessiter de nettoyage d’une chambre de traitement chaque fois qu’un traitement de croissance épitaxique de type à plaquette seule est mis en œuvre sur plusieurs plaquettes de silicium. Le procédé de production de plaquettes de silicium épitaxiques selon la présente invention consiste en une étape de transport d’introduction pour une plaquette de silicium, en une étape de formation de couche épitaxique de silicium, en une étape de transport de sortie pour la plaquette de silicium, et en une étape de nettoyage : l’étape de nettoyage étant appliquée avant et après une série de processus de croissance mis en œuvre lors de l’étape de transport d’introduction, l’étape de formation de couche épitaxique de silicium, et l’étape de transport de sortie étant répétées un nombre prédéfini de fois ; une relation de correspondance entre le nombre total de fois où le remplacement d’azote gazeux dans une chambre de transfert est effectué et le nombre maximal de fois où le compte de traitement pour la série de processus de croissance est effectué, étant déterminée de manière préliminaire ; et le nombre prédéfini de fois où la série de traitements de croissance doit être répétée étant configuré pour être compris dans le nombre maximal de comptes de traitement.
(JA) プロセスチャンバのクリーニングを都度行うことなく、複数枚のシリコンウェーハに対して枚葉式のエピタキシャル成長処理を連続して行う際に、裏面クモリの発生を防止しつつ、生産性に優れたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。 本発明によるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハ搬入工程と、シリコンエピタキシャル層形成工程と、前記シリコンウェーハの搬出工程と、クリーニング工程と、を含み、前記クリーニング工程を、前記搬入工程、前記シリコンエピタキシャル層形成工程および前記搬出工程による一連の成長処理を所定回数繰り返し行った前後に行い、前記搬送チャンバ内の窒素ガスの総置換回数と、前記一連の成長処理における最大処理回数との対応関係を予め求め、前記所定回数を前記最大処理回数の範囲内とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)