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1. (WO2018123347) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/123347    International Application No.:    PCT/JP2017/041680
Publication Date: Fri Jul 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Nov 21 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/24
C23C 16/44
C23C 16/52
H01L 21/20
H01L 21/304
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: TSUJI Masayuki
辻 雅之
NAKAMURA Motonori
中村 元宜
Title: エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
Abstract:
プロセスチャンバのクリーニングを都度行うことなく、複数枚のシリコンウェーハに対して枚葉式のエピタキシャル成長処理を連続して行う際に、裏面クモリの発生を防止しつつ、生産性に優れたエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。 本発明によるエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハ搬入工程と、シリコンエピタキシャル層形成工程と、前記シリコンウェーハの搬出工程と、クリーニング工程と、を含み、前記クリーニング工程を、前記搬入工程、前記シリコンエピタキシャル層形成工程および前記搬出工程による一連の成長処理を所定回数繰り返し行った前後に行い、前記搬送チャンバ内の窒素ガスの総置換回数と、前記一連の成長処理における最大処理回数との対応関係を予め求め、前記所定回数を前記最大処理回数の範囲内とする。