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1. (WO2018123299) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、固体撮像素子
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国際公開番号: WO/2018/123299 国際出願番号: PCT/JP2017/040764
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 13.11.2017
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
重歳 卓志 SHIGETOSHI Takushi; JP
代理人:
松尾憲一郎 MATSUO Kenichiro; JP
優先権情報:
2016-25052226.12.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、固体撮像素子
要約:
(EN) The present invention suppresses transistor characteristic fluctuation due to static electrification damage, thereby mitigating design limitation needed to eliminate the static electrification damage, and improving the degree of freedom relating to a design for improving the degree of semiconductor integration. This semiconductor device is provided with: a vertical electrode, which is formed in a vertical hole that extends, in the base body thickness direction, from an opening to a region to be connected, and which has a structure wherein a barrier metal film and a conductive material are laminated in this order from the side close to an insulating film exposed in the vertical hole; and a low resistance film, which is provided at a part between the barrier metal film and the insulating film, said part excluding the vicinities of the region to be connected, and which has a resistance value that is lower than that of the insulating film.
(FR) La présente invention permet de supprimer la fluctuation caractéristique des transistors due à une détérioration par électrification statique, ce qui permet de limiter les restrictions de conception imposées par la nécessité d'éviter les détériorations par électrification statique et d'améliorer le degré de liberté de conception pour améliorer le niveau d'intégration des semi-conducteurs. Ce dispositif semi-conducteur comprend : une électrode verticale, qui est formée dans un orifice vertical qui se prolonge, dans la direction de l'épaisseur du corps de la base, depuis une ouverture et jusqu'à une zone à connecter, et qui présente une structure dans laquelle un film métallique barrière et un matériau conducteur sont disposés l'un sur l'autre dans cet ordre à partir de la face proche d'un film isolant visible dans l'orifice vertical ; et un film à faible résistance, qui est disposé au niveau d'une partie située entre le film métallique barrière et le film isolant, ladite partie excluant le voisinage de la zone à connecter, et ledit film à faible résistance présentant une valeur de résistance qui est inférieure à celle du film isolant.
(JA) 帯電ダメージによるトランジスタ特性の変動を抑制し、これにより帯電ダメージの回避に必要な設計上の制限を緩和し、半導体集積度を高める設計に係る自由度を向上する。 基体の厚み方向に沿って開口部から接続対象部位に向けて延びる縦孔内に形成され、前記縦孔に露出した絶縁膜に近い側から順にバリアメタル膜と導電材料を積層した構造の縦型電極と、前記バリアメタル膜と前記絶縁膜の間に、前記接続対象部位の近傍を除いて介在するように設けた、抵抗値が前記絶縁膜より低い低抵抗膜と、を備える半導体装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)