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1. (WO2018123285) III族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、III族窒化物積層体
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国際公開番号: WO/2018/123285 国際出願番号: PCT/JP2017/040361
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 09.11.2017
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,G01N 21/64 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
52
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
62
調査される材料が励起され,それにより光を発しまたは入射光の波長に変化を生ずるシステム
63
光学的励起
64
蛍光;燐光
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21
光学的手段,すなわち.赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84
特殊な応用に特に適合したシステム
88
きず,欠陥,または汚れの存在の調査
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都中央区新川二丁目27番1号 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP/JP]; 茨城県日立市砂沢町880番地 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418, JP
学校法人法政大学 HOSEI UNIVERSITY [JP/JP]; 東京都千代田区富士見二丁目17番1号 2-17-1 Fujimi, Chiyoda-ku, Tokyo 1028160, JP
発明者:
堀切 文正 HORIKIRI Fumimasa; JP
三島 友義 MISHIMA Tomoyoshi; JP
代理人:
福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro; JP
橘高 英郎 KITTAKA Hideo; JP
優先権情報:
2016-25314927.12.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE LAMINATE, INSPECTION METHOD, AND GROUP-III NITRIDE LAMINATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN STRATIFIÉ DE NITRURE DU GROUPE (III), PROCÉDÉ D’INSPECTION, ET STRATIFIÉ DE NITRURE DU GROUPE (III)
(JA) III族窒化物積層体の製造方法、検査方法、および、III族窒化物積層体
要約:
(EN) The method for manufacturing a group-III nitride laminate according to the present invention has: a step for preparing a group-III nitride substrate and a group-III nitride laminate having a group-III nitride epitaxial layer formed on a principal face of the group-III nitride substrate; and a step for performing photoluminescence mapping measurement for a plurality of measurement positions for which the size of an off angle formed by a c-axis direction and the direction of a line normal to the principal face of the group-III nitride substrate varies, acquiring a relative yellow intensity which is the ratio of a yellow luminescence intensity with respect to a band end luminescence intensity, and acquiring a correspondence between the size of the off angle and the relative yellow intensity.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un stratifié de nitrure du groupe (III) présentant : une étape de préparation d’un substrat à base de nitrure du groupe (III) et d’un stratifié à base de nitrure du groupe (III) présentant une couche épitaxiale de nitrure du groupe (III) formée sur une surface principale du substrat à base de nitrure du groupe (III) ; et une étape d’exécution d’une mesure de cartographie par photoluminescence pour une pluralité de positions de mesure pour lesquelles la taille d’un angle de décalage formé selon un sens de l’axe des (c) et le sens d’une ligne orthogonale à la face principale du substrat à base de nitrure du groupe (III) varie, acquérant une intensité jaune relative qui est le rapport d’une intensité de luminescence jaune par rapport à une intensité de luminescence d’extrémité de bande, et d’acquisition d’une correspondance entre la taille de l’angle de décalage et l’intensité jaune relative.
(JA) III族窒化物積層体の製造方法は、III族窒化物基板、および、III族窒化物基板の主面の上方に形成されたIII族窒化物エピタキシャル層を有するIII族窒化物積層体を準備する工程と、III族窒化物エピタキシャル層の、III族窒化物基板の主面の法線方向とc軸方向とがなすオフ角の大きさが異なる複数の測定位置について、フォトルミネッセンスマッピング測定を行い、バンド端発光強度に対する黄色発光強度の比である相対黄色強度を取得し、オフ角の大きさと相対黄色強度との対応関係を取得する工程と、を有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)