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1. (WO2018123188) 温度特性調整回路
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国際公開番号: WO/2018/123188 国際出願番号: PCT/JP2017/036031
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 03.10.2017
IPC:
G05F 3/24 (2006.01) ,G11C 16/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/115 (2017.01) ,H01L 29/788 (2006.01) ,H01L 29/792 (2006.01)
G 物理学
05
制御;調整
F
電気的変量または磁気的変量の調整システム
3
自己調整特性を有する一つの非制御素子,または複数の素子から成る組合せであって自己調整特性を有するものによって,電気的変量を調整する非反作用系
02
電流または電圧の調整
08
直流のもの
10
非線形特性を有する非制御素子を使用するもの
16
半導体装置であるもの
20
ダイオードトランジスタの組合せを用いるもの
24
トランジスタは電界効果型のみであるもの
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
30
電力供給回路
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
112
リードオンリーメモリ構造
115
電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
788
浮遊ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
792
電荷トラッピングゲート絶縁体,例.MNOSメモリトランジスタ,を有するもの
出願人:
旭化成エレクトロニクス株式会社 ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区有楽町一丁目1番2号 1-1-2 Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
発明者:
坂本 敏郎 SAKAMOTO Toshiro; JP
対馬 悠晃 TSUSHIMA Yuukou; JP
代理人:
森 哲也 MORI Tetsuya; JP
田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu; JP
優先権情報:
2016-25345327.12.2016JP
発明の名称: (EN) TEMPERATURE CHARACTERISTIC ADJUSTMENT CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE RÉGLAGE DE CARACTÉRISTIQUE DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度特性調整回路
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a temperature characteristic adjustment circuit capable of making an adjustment to various positive/negative temperature characteristics with extremely small characteristic variation, and suppressing an increase in chip area and current consumption with a simple circuit structure. A temperature characteristic adjustment circuit (1) is provided with: a current source having a nonvolatile memory element (M) which has a control gate region (CG) and a source region (S) and is driven by means of a bias applied between the control gate region (CG) and the source region (S); and an output circuit (6) in which the temperature dependency of an output signal due to the temperature dependency of current amount of a current output from the current source is adjusted by the nonvolatile memory element (M), and which does not have a nonvolatile memory element.
(FR) La présente invention vise à fournir un circuit de réglage de caractéristique de température permettant de réaliser un réglage de diverses caractéristiques de température positive/négative avec une variation de caractéristique extrêmement faible, et de supprimer une augmentation de la zone de puce et de consommation de courant au moyen d'une structure de circuit simple. Un circuit de réglage de caractéristique de température (1) comprend : une source de courant présentant un élément de mémoire non volatile (M) qui possède une région grille de commande (CG) et une région source (S) et qui est excité au moyen d'une polarisation appliquée entre la région grille de commande (CG) et la région source (S); et un circuit de sortie (6) dans lequel la dépendance thermique d'un signal de sortie due à la dépendance thermique de la quantité de courant d'une sortie de courant de la source de courant est ajustée par l'élément de mémoire non volatile (M), et qui ne présente pas d'élément de mémoire non volatile.
(JA) 本発明は、極めて小さい特性バラつきで、正・負両方様々な温度特性に調整することができ、且つ、簡易的な回路構成で、チップ面積の拡大や消費電流を抑制できる温度特性調整回路を提供することを目的とする。温度特性調整回路(1)は、コントロールゲート領域(CG)およびソース領域(S)を有しコントロールゲート領域(CG)とソース領域(S)との間にバイアスを印加して駆動される不揮発性記憶素子(M)を有する電流源と、この電流源が出力する電流の電流量の温度依存性に由来する出力信号の温度依存性が不揮発性記憶素子(M)によって調整され、かつ不揮発性記憶素子を有さない出力回路(6)とを備えている。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)