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1. (WO2018123166) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
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国際公開番号: WO/2018/123166 国際出願番号: PCT/JP2017/034250
国際公開日: 05.07.2018 国際出願日: 22.09.2017
IPC:
H01L 21/308 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
堀田 明伸 HORITA Akinobu; JP
島田 憲司 SHIMADA Kenji; JP
高橋 健一 TAKAHASHI Kenichi; JP
尾家 俊行 OIE Toshiyuki; JP
伊藤 彩 ITO Aya; JP
代理人:
小林 浩 KOBAYASHI Hiroshi; JP
杉山 共永 SUGIYAMA Tomohisa; JP
田村 恭子 TAMURA Kyoko; JP
鈴木 康仁 SUZUKI Yasuhito; JP
優先権情報:
2016-25054526.12.2016JP
発明の名称: (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE HUMIDE POUR SUBSTRAT AYANT UNE COUCHE DE SiN ET UNE COUCHE DE Si ET PROCÉDÉ DE GRAVURE HUMIDE L'UTILISANT
(JA) SiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物およびこれを用いたウェットエッチング方法
要約:
(EN) The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, containing 0.1-50 wt. % of a fluorine compound (A), 0.04-10 wt. % of an oxidizer (B), and water (D), and having a pH in the range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching method for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, using the wet etching composition. Using the composition according to the present invention enables an increase in the selectability of removal of Si relative to SiN in substrates having a SiN layer and a Si layer, while reducing corrosion of equipment and exhaust lines by volatile components produced during use, air pollution, and the environmental burden of the nitrogen in the composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de gravure humide pour un substrat ayant une couche de SiN et une couche de Si, contenant 0,1 à 50 % en poids. d'un composé de fluor (A), 0,04 à 10 % en poids d'un oxydant (B), et de l'eau (D), et ayant un pH dans la plage de 2,0 à 5,0. La présente invention concerne également un procédé de gravure humide pour un substrat semiconducteur ayant une couche de SiN et une couche de Si, utilisant la composition de gravure humide. L'utilisation de la composition selon la présente invention permet une augmentation de la sélectivité de l'élimination du Si par rapport au SiN dans des substrats ayant une couche de SiN et une couche de Si, tout en réduisant la corrosion de l'équipement et des lignes d'échappement par des composants volatils produits pendant l'utilisation, la pollution de l'air et la charge environnementale de l'azote dans la composition.
(JA) 本発明は、フッ素化合物(A)を0.1~50質量%、酸化剤(B)を0.04~10質量%、および水(D)を含有し、pHが2.0~5.0の範囲にあるSiN層およびSi層を有する基板用ウェットエッチング組成物に関する。また本発明は、該ウェットエッチング組成物を用いる、SiN層およびSi層を有する半導体基板のウェットエッチング方法に関する。本発明の組成物を用いることにより、使用時に発生する揮発成分による装置や排気ラインの腐食および大気汚染、さらには組成物中の窒素分による環境負荷を軽減しながら、SiN層およびSi層を有する基板に対して、SiNに対するSiの除去選択性を高めることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN108513679KR1020180087420EP3389083US20190040317