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1. (WO2018117238) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/117238    International Application No.:    PCT/JP2017/046010
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: YAMAMOTO Tsuyoshi
山本 剛
GODA Kenta
合田 健太
HARADA Shunsuke
原田 峻丞
NAKAYAMA Yoshiaki
中山 喜明
Title: 半導体装置
Abstract:
メインセル領域とセンスセル領域との両方に至るように連続的にトレンチ(5)を繋ぐようにし、シールド電極(7)およびゲート電極層(8)がメインセル領域とセンスセル領域との両方に至るように連続的に形成されるようにする。これにより、メインセル領域とセンスセル領域との間において、シールド電極(7)のコンタクトを採る必要がなくなり、その分、メインセル領域とセンスセル領域とを近付けることが可能となる。