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1. (WO2018117111) 貫通電極基板、半導体装置及び貫通電極基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/117111    International Application No.:    PCT/JP2017/045575
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 20 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 23/12
H05K 1/11
H05K 3/28
Applicants: DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
大日本印刷株式会社
Inventors: TAKANO Takamasa
高野 貴正
KURAMOCHI Satoru
倉持 悟
Title: 貫通電極基板、半導体装置及び貫通電極基板の製造方法
Abstract:
【解決手段】貫通電極基板は、第1面と第1面に対向する第2面とを有する基板と、基板を貫通する複数の貫通電極と、基板の第1面側に配置され、複数の貫通電極の少なくとも1つと電気的に接続された第1キャパシタとを有し、第1キャパシタは、基板の第1面側に配置され、貫通電極と電気的に接続された第1導電層と、第1導電層の上に配置された絶縁層と、絶縁層の上に配置された第2導電層と、を含み、絶縁層は、第1導電層と第2導電層の間に配置された第1部分と、第1導電層の側面の少なくとも一部を覆う第2部分と、を有する。