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1. (WO2018117061) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/117061    International Application No.:    PCT/JP2017/045405
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 19 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/265
H01L 21/336
H01L 29/12
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
富士電機株式会社
Inventors: KOJIMA, Takahito
小島 貴仁
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
炭化珪素半導体装置は、n+型炭化珪素基板(1)のおもて面に設けられた、n+型ドリフト層(2)を有し、n+型ドリフト層(2)の表面層に第1p+型領域(3)が設けられ、n+型炭化珪素基板(1)のおもて面側には、トレンチ(16)が形成される。第1p+型領域(3)は、トレンチ(16)の底部より深い位置にある深い第1p+型領域(3a)とトレンチ(16)の底部より浅い位置にある浅い第1p+型領域(3b)からなり、深い第1p+型領域(3a)は、第11p+型領域(3)の導電型を決定する不純物に追い出された元素と結合する他の元素が所定の割合で注入されている。