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1. (WO2018117050) III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/117050    International Application No.:    PCT/JP2017/045391
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Dec 19 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/34
C23C 16/44
C30B 29/38
H01L 33/32
Applicants: FURUKAWA CO., LTD.
古河機械金属株式会社
Inventors: SUMIDA Yasunobu
住田 行常
FUJIYAMA Yasuharu
藤山 泰治
GOTO Hiroki
後藤 裕輝
NAKAGAWA Takuya
中川 拓哉
ISHIHARA Yujiro
石原 裕次郎
Title: III族窒化物半導体基板、及び、III族窒化物半導体基板の製造方法
Abstract:
サファイア基板を準備する基板準備工程S10と、サファイア基板に対して熱処理を行う熱処理工程S20と、サファイア基板上に金属含有ガスを供給する先流し工程S30と、サファイア基板上に、成長温度:800℃以上950℃以下、圧力:30torr以上200torr以下の成長条件で、バッファ層を形成するバッファ層形成工程S40と、バッファ層の上に、成長温度:800℃以上1025℃以下、圧力:30torr以上200torr以下、成長速度:10μm/h以上の成長条件で、III族窒化物半導体層を形成する成長工程S50と、を有するIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。