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1. (WO2018116989) III族窒化物発光素子及び該発光素子の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/116989 国際出願番号: PCT/JP2017/045151
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 15.12.2017
IPC:
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
20
特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2-9-13 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
発明者:
小幡 俊之 OBATA, Toshiyuki; JP
代理人:
特許業務法人レクスト国際特許事務所 LEXT, P.C.; 東京都新宿区西新宿6丁目24番1号 西新宿三井ビル18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2016-24625920.12.2016JP
発明の名称: (EN) GROUP III NITRIDE LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAID LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT AU NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT
(JA) III族窒化物発光素子及び該発光素子の製造方法
要約:
(EN) A group III nitride semiconductor light emitting element which has an element layer on a single crystal substrate, said element layer comprising an n-type layer, an active layer and a p-type layer that are represented by composition formula AlXGaYIn1-X-YN (wherein 0 ≤ X ≤ 1.0, 0 ≤ Y ≤ 1.0 and 0 ≤ X + Y ≤ 1.0) in this order. This group III nitride semiconductor light emitting element is characterized in that: the thickness of the single crystal substrate is 80 μm or more; and the area of an element layer laminated surface of the single crystal substrate is larger than the area of the back surface of the substrate, said back surface being on the reverse side of the element layer laminated surface.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminescent à semiconducteur au nitrure du groupe III qui a une couche d'élément sur un substrat monocristallin, ladite couche d'élément comprenant une couche de type n, une couche active et une couche de type p qui sont représentées par la formule de composition AlXGaYIn1-X-YN (où 0 ≤ X ≤ 1,0, 0 ≤ Y ≤ 1,0 et 0 ≤ X + Y ≤ 1,0) dans cet ordre. Cet élément électroluminescent à semiconducteur au nitrure du groupe III est caractérisé en ce que : l'épaisseur du substrat monocristallin est supérieure ou égale à 80 µm; et la zone d'une surface stratifiée de couche d'élément du substrat monocristallin est plus grande que la zone de la surface arrière du substrat, ladite surface arrière étant sur le côté inverse de la surface stratifiée de couche d'élément.
(JA) 単結晶基板上に組成式AlXGaYIn1-X-YN(0≦X≦1.0、0≦Y≦1.0、0≦X+Y≦1.0)で表されるn型層、活性層、p型層をこの順で有する素子層を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記単結晶基板の厚さが80μm以上であり、且つ前記単結晶基板における素子層積層面の面積が、該基板の素子層積層面の裏面の面積よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)