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1. (WO2018116974) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/116974    International Application No.:    PCT/JP2017/045069
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 16 00:59:59 CET 2017
IPC: H05K 9/00
H01L 23/00
H01L 23/29
H01L 23/31
H05K 7/20
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TANISHITA Tomohiro
谷下 友洋
HAMAGUCHI Tsuneo
濱口 恒夫
ISHIDA Kiyoshi
石田 清
Title: 半導体装置
Abstract:
本発明は、高い電磁波遮蔽性を有し、かつ放熱性の良い半導体装置の提供を目的とする。本発明に係る半導体装置は、回路基板2上に接合された半導体パッケージ1と、半導体パッケージ1の回路基板2に対する接合面以外の面を覆う電磁波吸収層5と、電磁波吸収層5の半導体パッケージ1とは反対側において電磁波吸収層5を覆う電磁波反射層6と、を備え、電磁波吸収層5は、磁性粒子またはカーボンを含む樹脂で構成され、電磁波反射層6は、導電性粒子を含む樹脂で構成される。