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1. (WO2018116780) レジスト基板前処理組成物及びレジスト基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/116780    International Application No.:    PCT/JP2017/043038
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 01 00:59:59 CET 2017
IPC: H05K 3/28
Applicants: SANYO CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
三洋化成工業株式会社
Inventors: TAKEDA, Takuma
竹田 拓馬
SATO, Shohei
佐藤 祥平
Title: レジスト基板前処理組成物及びレジスト基板の製造方法
Abstract:
インクジェット方式でレジストインクを塗工した後の濡れ広がりを抑制することができ、微細なレジストパターンを高精度に形成することができるレジスト基板前処理組成物を提供する。 本発明のレジスト基板前処理組成物は、両性界面活性剤(A1)と、アニオン性界面活性剤(A2)と、水とを含有するレジスト基板前処理組成物であって、上記両性界面活性剤(A1)の等電点の数値から、上記レジスト基板前処理組成物のpHの数値を引いた数値([両性界面活性剤(A1)の等電点の数値]-[レジスト基板前処理組成物のpHの数値])は-3~4であり、上記両性界面活性剤(A1)のモル数、及び、上記アニオン性界面活性剤(A2)のモル数の合計モル数に対する前記両性界面活性剤(A1)のモル数の割合([両性界面活性剤(A1)のモル数]/([両性界面活性剤(A1)のモル数]+[アニオン性界面活性剤(A2)のモル数]))は、0.1~0.9であることを特徴とする。