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1. (WO2018116697) 固体撮像装置およびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/116697 国際出願番号: PCT/JP2017/040870
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
発明者:
小野澤 和利 ONOZAWA Kazutoshi; --
代理人:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
優先権情報:
2016-24726520.12.2016JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法
要約:
(EN) This solid-state imaging device (100) is provided with: a first semiconductor substrate part (21) having a pixel part (31) wherein unit pixels, each of which has a light receiving part (4) that performs photoelectric conversion of incident light from an imaging optical system, are two dimensionally arranged; and a second semiconductor substrate part (22) having a circuit part (33) that processes signals from the pixel part (31). The first semiconductor substrate part (21) has a first semiconductor substrate (5a) that has a smaller thickness than a second semiconductor substrate (5b) of the second semiconductor substrate part (22); the first semiconductor substrate part (21) and the second semiconductor substrate part (22) are joined with each other and form a multilayer structure; and a joined part (30) of the first semiconductor substrate part (21) and the second semiconductor substrate part (22) is provided with a reflection plate (6a) that reflects the incident light.
(FR) L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semiconducteur (100) comprenant : une première partie de substrat semiconducteur (21) ayant une partie de pixel (31) dans laquelle des pixels unitaires, dont chacun a une partie réceptrice de lumière (4) qui réalise une conversion photoélectrique de la lumière incidente provenant d'un système optique d'imagerie, sont agencés de façon bidimensionnelle; et une seconde partie de substrat semiconducteur (22) ayant une partie de circuit (33) qui traite des signaux provenant de la partie de pixel (31). La première partie de substrat semiconducteur (21) a un premier substrat semiconducteur (5a) qui a une épaisseur inférieure à celle d'un second substrat semiconducteur (5b) de la seconde partie de substrat semiconducteur (22); la première partie de substrat semiconducteur (21) et la seconde partie de substrat semiconducteur (22) sont jointes l'une à l'autre et forment une structure multicouche; et une partie jointe (30) de la première partie de substrat semiconducteur (21) et de la seconde partie de substrat semiconducteur (22) comprend une plaque de réflexion (6a) qui réfléchit la lumière incidente.
(JA) 固体撮像装置(100)は、撮像光学系からの入射光を光電変換する受光部(4)を有する単位画素が2次元配列される画素部(31)を有する第1の半導体基板部(21)と、画素部(31)からの信号を処理する回路部(33)を有する第2の半導体基板部(22)と、を備え、第1の半導体基板部(21)は、第2の半導体基板部(22)に有する第2の半導体基板(5b)よりも厚みが薄い第1の半導体基板(5a)を有し、第1の半導体基板部(21)および第2の半導体基板部(22)は、接合して積層構造を成し、第1の半導体基板部(21)と第2の半導体基板部(22)との接合部(30)に、入射光を反射する反射板(6a)を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)