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1. (WO2018116663) ガスセンサモジュール及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/116663 国際出願番号: PCT/JP2017/039870
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 06.11.2017
IPC:
G01N 27/12 (2006.01)
G 物理学
01
測定;試験
N
材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27
電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
02
インピーダンスの調査によるもの
04
抵抗の調査によるもの
12
流体の吸収による固体の;流体との反応による固体の
出願人:
NISSHA株式会社 NISSHA CO.,LTD. [JP/JP]; 京都府京都市中京区壬生花井町3番地 3, Mibu Hanai-cho, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6048551, JP
発明者:
木村 哲平 KIMURA, Teppei; JP
鈴木 弘明 SUZUKI, Hiroaki; JP
優先権情報:
2016-24695820.12.2016JP
発明の名称: (EN) GAS SENSOR MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサモジュール及びその製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a gas sensor module that makes gas detection easy even when attached in a mounting space having a short length in the direction perpendicular to a semiconductor chip on which a gas sensor element is formed. [Solution] A flat package 30 having a length in the direction D1 parallel to a semiconductor chip 20 that is longer than the length in the direction D2 perpendicular to the semiconductor chip 20 includes a substrate 31 that the semiconductor chip 20 is electrically connected to and fixed to, a side wall 32 affixed to the substrate 31, and a lid 33 affixed to the side wall 32. The package 30 has a detection space S1 where gas flows around the semiconductor chip 20 and a plurality of openings 32a, in the side walls 32A and/or between the side walls 32 and lid 33, that are in communication with the detection space S1.
(FR) La présente invention aborde le problème de la réalisation d'un module capteur de gaz qui rend la détection de gaz facile même lorsqu'il est fixé dans un espace de montage ayant une courte longueur dans la direction perpendiculaire à une puce en semiconducteur sur laquelle est formé un élément de capteur de gaz. L'invention réalise à cet effet un boîtier plat (30) ayant une longueur dans la direction D1 parallèle à une puce en semiconducteur (20) qui est plus longue que la longueur dans la direction D2 perpendiculaire à la puce en semiconducteur (20) et qui comprend un substrat (31) auquel la puce en semiconducteur (20) est reliée électriquement et fixée, une paroi latérale (32) fixée au substrat (31) et un couvercle (33) fixé à la paroi latérale (32). Le boîtier (30) comprend un espace de détection S1 où le gaz s'écoule autour de la puce en semiconducteur (20) et une pluralité d'ouvertures (32a), dans les parois latérales (32A) et/ou entre les parois latérales (32) et le couvercle (33), qui sont en communication avec l'espace de détection S1.
(JA) 【課題】ガスセンサ素子の形成されている半導体チップに対する垂直な方向の長さが短い実装スペースに取り付けられたときでもガスに関する検出を容易に行えるガスセンサモジュールを提供する。 【解決手段】半導体チップ20に平行な方向D1の長さが半導体チップ20に垂直な方向D2の長さよりも長い扁平なパッケージ30は、半導体チップ20が電気的に接続され且つ固定されている基板31、基板31に固着されている側壁32及び側壁32に固着されている蓋33を含んでいる。パッケージ30は、半導体チップ20の周囲にガスが流れる検出空間S1を有し、側壁32に及び/または側壁32と蓋33との間に、検出空間S1に連通する複数の開口部32aを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)