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1. (WO2018116655) 磁気抵抗効果デバイス

Pub. No.:    WO/2018/116655    International Application No.:    PCT/JP2017/039665
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Nov 03 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/82
G11B 5/39
H01L 43/08
H03B 15/00
Applicants: TDK CORPORATION
TDK株式会社
Inventors: URABE Junichiro
占部 順一郎
SHIBATA Tetsuya
柴田 哲也
YAMANE Takekazu
山根 健量
SUZUKI Tsuyoshi
鈴木 健司
SHIMURA Atsushi
志村 淳
Title: 磁気抵抗効果デバイス
Abstract:
磁気抵抗効果デバイス100は、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bと、第2の磁気抵抗効果素子101cと、第1のポート109aと、第2のポート109bと、信号線路107と、直流印加端子110とを有し、第1のポート109aおよび第2のポート109bが信号線路107を介して接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bおよび第2の磁気抵抗効果素子101cは、第2のポート109bに対して並列に信号線路107に接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cは、直流印加端子110から入力され第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cのそれぞれの中を流れる直流電流の向きと、それぞれの磁化固定層102、スペーサ層103および磁化自由層104の配置順との関係が、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)と第2の磁気抵抗効果素子101cとで逆になるように形成され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)のスピントルク共鳴周波数と第2の磁気抵抗効果素子101cのスピントルク共鳴周波数は互いに異なることを特徴とする。