このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018116655) 磁気抵抗効果デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/116655 国際出願番号: PCT/JP2017/039665
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 02.11.2017
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H03B 15/00 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
127
ヘッド,例.誘導型,の構造または製造
33
磁束感知ヘッドの構造または製造
39
磁気抵抗装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
03
基本電子回路
B
振動の発生,直接のまたは周波数変換による振動の発生,スイッチング動作を行なわない能動素子を用いた回路による振動の発生;このような回路による雑音の発生
15
電流磁気効果装置,例.ホール効果装置,を用いた振動の発生,または超伝導効果を用いた振動の発生
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
発明者:
占部 順一郎 URABE Junichiro; JP
柴田 哲也 SHIBATA Tetsuya; JP
山根 健量 YAMANE Takekazu; JP
鈴木 健司 SUZUKI Tsuyoshi; JP
志村 淳 SHIMURA Atsushi; JP
優先権情報:
2016-24656920.12.2016JP
発明の名称: (EN) MAGNETORESISTANCE EFFECT DEVICE
(FR) DISPOSITIF À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE
(JA) 磁気抵抗効果デバイス
要約:
(EN) A magnetoresistance effect device 100 is characterized by being provided with first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, a second magnetoresistance effect element 101c, a first port 109a, a second port 109b, a signal line 107, and a DC application terminal 110, wherein: the first port 109a and the second port 109b are connected via the signal line 107; the first magnetoresistance effect elements 101a, 101b, and the second magnetoresistance effect element 101c are connected to the signal line 107 in parallel with respect to the second port 109b; the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c are formed such that the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the second magnetoresistance effect element 101c have inverse relations between directions of a DC current, which is inputted from the DC application terminal 110 and flows in the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and also flows in the second magnetoresistance effect element 101c, and the respective arrangement orders of a magnetization fixed layer 102, a spacer layer 103, and a magnetization free layer 104; and the spin torque resonance frequency of the first magnetoresistance effect element 101a (101b) and the spin torque resonance frequency of the second magnetoresistance effect element 101c are different from each other.
(FR) Un dispositif à effet de magnétorésistance 100 selon l'invention est caractérisé en ce qu'il est pourvu de premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, d'un second élément à effet de magnétorésistance 101c, d'un premier port 109a, d'un second port 109b, d'une ligne de signal 107 et d'une borne d'application de CC 110. Selon l'invention : le premier port 109a et le second port 109b sont connectés par l'intermédiaire de la ligne de signal 107 ; les premiers éléments à effet de magnétorésistance 101a, 101b, et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont connectés à la ligne de signal 107 en parallèle par rapport au second port 109b ; le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c sont formés de telle sorte que le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et le second élément à effet de magnétorésistance 101c présentent des relations inverses entre les directions d'un courant continu, qui est entré à partir de la borne d'application de CC 110 et s'écoule dans le premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et s'écoule également dans le second élément à effet de magnétorésistance 101c, et les ordres d'agencement respectifs d'une couche à magnétisation fixe 102, d'une couche d'espacement 103 et d'une couche exempte de magnétisation ; et la fréquence de résonance de couple de spin du premier élément à effet de magnétorésistance 101a (101b) et la fréquence de résonance de couple de spin du second élément à effet de magnétorésistance 101c sont différentes l'une de l'autre.
(JA) 磁気抵抗効果デバイス100は、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bと、第2の磁気抵抗効果素子101cと、第1のポート109aと、第2のポート109bと、信号線路107と、直流印加端子110とを有し、第1のポート109aおよび第2のポート109bが信号線路107を介して接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a、101bおよび第2の磁気抵抗効果素子101cは、第2のポート109bに対して並列に信号線路107に接続され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cは、直流印加端子110から入力され第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)および第2の磁気抵抗効果素子101cのそれぞれの中を流れる直流電流の向きと、それぞれの磁化固定層102、スペーサ層103および磁化自由層104の配置順との関係が、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)と第2の磁気抵抗効果素子101cとで逆になるように形成され、第1の磁気抵抗効果素子101a(101b)のスピントルク共鳴周波数と第2の磁気抵抗効果素子101cのスピントルク共鳴周波数は互いに異なることを特徴とする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)