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1. (WO2018116644) 太陽電池セル
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国際公開番号: WO/2018/116644 国際出願番号: PCT/JP2017/039399
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 31.10.2017
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0224
電極
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072
電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745
AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747
結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(R)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5406207, JP
発明者:
菱田 有二 HISHIDA Yuji; --
益子 慶一郎 MASUKO Keiichiro; --
代理人:
森下 賢樹 MORISHITA Sakaki; JP
優先権情報:
2016-24707020.12.2016JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セル
要約:
(EN) A solar cell 70 is provided with: a semiconductor substrate 11; an n-type semiconductor layer (first conductivity-type layer 12n) that is provided in a first region W1 on a main surface (second main surface 11b) of the semiconductor substrate 11; a p-type semiconductor layer (second conductivity-type layer 13p) that is provided in a second region W2 on the main surface (second main surface 11b) of the semiconductor substrate 11, said second region being different from the first region W1; an n-side electrode 14 that is provided on the n-type semiconductor layer (first conductivity-type layer 12n); a p-side electrode 15 that is provided on the p-type semiconductor layer (second conductivity-type layer 13p); and a non-ohmic resistor structure 30 connected between the n-side electrode 14 and the p-side electrode 15.
(FR) La présente invention concerne un cellule solaire (70) qui est pourvue : d'un substrat semi-conducteur (11) ; d'une couche semi-conductrice de type n (couche de premier type de conductivité (12n)) qui est disposée dans une première région (W1) sur une surface principale (seconde surface principale (11b)) du substrat semi-conducteur (11) ; d'une couche semi-conductrice de type p (couche de second type conductivité (13p)) qui est disposée dans une seconde région (W2) sur la surface principale (seconde surface principale (11b)) du substrat semi-conducteur (11), ladite seconde région étant différente de la première région (W1) ; d'une électrode côté n (14) qui est disposée sur la couche semi-conductrice de type n (couche de premier type conductivité (12n)) ; d'une électrode côté p (15) qui est disposée sur la couche semi-conductrice de type p (couche de second type de conductivité (13p)) ; et d'une structure de résistance non ohmique (30) connectée entre l'électrode côté n (14) et l'électrode côté p (15).
(JA) 太陽電池セル70は、半導体基板11と、半導体基板11の主面(第2主面11b)上の第1領域W1に設けられるn型半導体層(第1導電型層12n)と、半導体基板11の主面(第2主面11b)上の第1領域W1と異なる第2領域W2に設けられるp型半導体層(第2導電型層13p)と、n型半導体層(第1導電型層12n)上に設けられるn側電極14と、p型半導体層(第2導電型層13p)上に設けられるp側電極15と、n側電極14とp側電極15の間に接続される非オーミック性の抵抗構造30と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)