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1. (WO2018116608) 酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/116608 国際出願番号: PCT/JP2017/037719
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 18.10.2017
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,C01G 33/00 (2006.01) ,H01G 4/12 (2006.01) ,H01G 4/33 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
33
ニオブ化合物
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
018
誘電体
06
固体誘電体
08
無機誘電体
12
セラミック誘電体
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
33
薄膜または厚膜コンデンサ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
06
複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
08
1種類の半導体構成部品だけを含むもの
085
電界効果構成部品のみを含むもの
088
構成部品が絶縁ゲートを有する電界効果トランジスタであるもの
出願人:
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 石川県能美市旭台一丁目1番地 1-1, Asahidai, Nomi-shi, Ishikawa 9231292, JP
アダマンド株式会社 ADAMANT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都足立区新田1丁目16番7号 16-7, Shinden 1-chome, Adachi-ku, Tokyo 1238595, JP
発明者:
下田 達也 SHIMODA, Tatsuya; JP
井上 聡 INOUE, Satoshi; JP
有賀 智紀 ARIGA, Tomoki; JP
池貝 一秋 IKEGAI, Kazuaki; JP
代理人:
河野 広明 KOUNO, Hiroaki; JP
優先権情報:
2016-24959522.12.2016JP
発明の名称: (EN) DIELECTRIC OXIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAID SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE
(FR) OXYDE DIÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À SEMICONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE À SEMICONDUCTEUR
(JA) 酸化物誘電体及びその製造方法、並びに固体電子装置及びその製造方法
要約:
(EN) One method for producing a dielectric oxide according to the present invention comprises: a precursor layer formation step wherein a layer of a first mixed precursor solution, which is obtained by mixing a first precursor solution that contains, as solutes, a precursor containing bismuth (Bi) and a precursor containing niobium (Nb) with at least one additive selected from the group consisting of sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene ethers of sorbitan fatty acid esters, polyvinyl polymers and ethylene polymers, is formed by means of a coating method; and a dielectric oxide layer formation step wherein a layer (30x) of a first dielectric oxide which has a crystal phase having a pyrochlore crystal structure and contains a first oxide that is composed of bismuth (Bi) and niobium (Nb) (and which may contain unavoidable impurities) is formed by means of a heating treatment in which the layer of the first mixed precursor solution is heated in an oxygen-containing atmosphere.
(FR) Un procédé de production d'un oxyde diélectrique selon la présente invention comprend : une étape de formation de couche de précurseur dans laquelle une couche d'une première solution de précurseur mixte, qui est obtenue par mélange d'une première solution de précurseur qui contient, en tant que solutés, un précurseur contenant du bismuth (Bi) et un précurseur contenant du niobium (Nb) avec au moins un additif choisi dans le groupe constitué par des esters d'acide gras de sorbitan, des éthers de polyoxyéthylène d'esters d'acide gras de sorbitan, des polymères de polyvinyle et des polymères d'éthylène, la dite couche de précurseur étant formée au moyen d'un procédé de revêtement; et une étape de formation de couche d'oxyde diélectrique dans laquelle une couche (30x) d'un premier oxyde diélectrique qui a une phase cristalline ayant une structure cristalline pyrochlore et contenant un premier oxyde qui est composé de bismuth (Bi) et de niobium (Nb) (et qui peut contenir des impuretés inévitables) est formée au moyen d'un traitement de chauffage dans lequel la couche de la première solution de précurseur mixte est chauffée dans une atmosphère contenant de l'oxygène.
(JA) 本発明の1つの酸化物誘電体の製造方法は、ビスマス(Bi)を含む前駆体及びニオブ(Nb)を含む前駆体を溶質とする第1前駆体溶液と、ソルビタン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステルのポリオキシエチレンエーテル、ポリビニル系高分子、及びエチレン系高分子の群から選択される少なくとも一種の添加剤と、を混合することによって得られる第1混合前駆体溶液の層を塗布法により形成する前駆体層形成工程と、その第1混合前駆体溶液の層を、酸素含有雰囲気中において加熱する加熱処理により、パイロクロア型結晶構造の結晶相を有する、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる第1酸化物(不可避不純物を含み得る)を含む第1酸化物誘電体の層(30x)を形成する酸化物誘電体層形成工程を含む。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)