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1. (WO2018116602) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
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国際公開番号: WO/2018/116602 国際出願番号: PCT/JP2017/037558
国際公開日: 28.06.2018 国際出願日: 17.10.2017
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H04B 1/50 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02
細部
125
駆動手段,例.電極,コイル
145
弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
46
濾波器
64
弾性表面波を用いるもの
H 電気
04
電気通信技術
B
伝送
1
グループH04B3/00~H04B13/00の単一のグループに包含されない伝送方式の細部;伝送媒体によって特徴づけられない伝送方式の細部
38
送受信機,すなわち送信機と受信機とが1つの構造ユニットを形成し,かつ少なくとも一部分は送信および受信機能のために用いられる装置
40
回路
50
2方向の通信に異なる周波数を用いるもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
三村 昌和 MIMURA, Masakazu; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2016-24626720.12.2016JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, CIRCUIT FRONTAL HAUTE FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
要約:
(EN) Provided is an elastic wave device which allows a spurious due to an SH wave to be suppressed while achieving miniaturization, and has steep filter characteristics and a wide pass band. This elastic wave device 1 is provided with: a first elastic wave resonator having a LiNbO3 substrate 2, a first IDT electrode, and a first dielectric film; and a second elastic wave resonator having a second IDT electrode and a second dielectric film. In this elastic wave device 1, a Rayleigh wave is used; the thicknesses of the first and second dielectric films are different; the propagation directions of the elastic waves in the first and second elastic wave resonators are identical; the Euler angles of the LiNbO3 substrate 2 are within the ranges of (0°±5°, θ, 0°±10°); and when a main electrode thickness normalized by a wavelength λ determined by electrode finger pitches of the first and second IDT electrodes is T, and the density ratio (ρ/ρPt) of a main electrode density (ρ) to Pt density (ρPt) is r, θ satisfies the following equation (1) in the range of 0.055λ≤T×r≤0.10λ. -0.033/(T×r-0.037)+29.99≤θ≤-0.050/(T×r-0.043)+32.45 …(1)
(FR) L'invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui permet de supprimer un parasite dû à une onde SH tout en obtenant une miniaturisation, et présente des caractéristiques de filtre raide et une large bande passante. Ce dispositif à ondes élastiques comprend : un premier résonateur à ondes élastiques comportant un substrat 2 de LiNbO3, une première électrode IDT et un premier film diélectrique ; et un second résonateur à ondes élastiques comportant une seconde électrode IDT et un second film diélectrique. Dans ce dispositif à ondes élastiques 1, une onde de Rayleigh est utilisée ; les épaisseurs des premier et second films diélectriques sont différentes ; les directions de propagation des ondes élastiques dans les premier et second résonateurs à ondes élastiques sont identiques ; les angles d'Euler du substrat 2 de LiNbO3 se trouvent dans les plages (0°±5°, θ, 0°±10°) ; et lorsqu'une épaisseur d'électrode principale normalisée par une longueur d'onde λ déterminée par des pas de doigts d'électrode des première et seconde électrodes IDT est égale à T, et que le rapport de densité (ρ/ρPt) d'une densité (ρ) d'électrode principale à une densité Pt (ρPt) est égal à r, θ satisfait l'équation (1) suivante dans la plage 0.055λ≤T×r≤0.10λ. -0.033/(T×r-0.037)+29.99≤θ≤-0.050/(T×r-0.043)+32.45 …(1)
(JA) 小型化を図りつつ、SH波によるスプリアスを抑制することを可能とし、さらに、急峻なフィルタ特性を有するとともに通過帯域が広い弾性波装置を提供する。 LiNbO基板2と、第1のIDT電極及び第1の誘電体膜を有する第1の弾性波共振子と、第2のIDT電極及び第2の誘電体膜を有する第2の弾性波共振子とを備え、レイリー波を利用しており、第1の誘電体膜及び第2の誘電体膜の厚みが異なっており、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子における弾性波の伝搬方向が一致しており、LiNbO基板2のオイラー角が、(0°±5°,θ,0°±10°)の範囲内であり、第1のIDT電極及び第2のIDT電極の電極指ピッチで定まる波長λにより規格化してなる主電極の厚みをTとし、主電極の密度(ρ)とPtの密度(ρPt)との密度比(ρ/ρPt)をrとしたときに、θが、0.055λ≦T×r≦0.10λの範囲において、下記式(1)を満たしている、弾性波装置1。 -0.033/(T×r-0.037)+29.99≦θ≦-0.050/(T×r-0.043)+32.45 …(1)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)