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1. (WO2018116457) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/116457    International Application No.:    PCT/JP2016/088450
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 27/04
H01L 21/822
H01L 21/8234
H01L 27/06
H01L 27/088
H01L 29/78
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: KOTANI Ryohei
小谷 涼平
MATSUBARA Toshiki
松原 寿樹
ISHIZUKA Nobutaka
石塚 信隆
MIKAWA Masato
三川 雅人
OSHINO Hiroshi
押野 浩
Title: 半導体装置
Abstract:
【課題】逆バイアス印加状態において半導体スイッチがオンすることを防止する。 【解決手段】コレクタ電極C、エミッタ電極Eおよびゲート電極Gを有する半導体スイッチSWと、一端がコレクタ電極Cに電気的に接続され、他端がゲート電極Gに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Aと、一端がゲート電極Gに電気的に接続され、他端がエミッタ電極Eに電気的に接続され、N型半導体層とP型半導体層とが交互に隣接配置されたものとして構成されたツェナーダイオード5Bとを備え、逆バイアス印加状態においてゲート電極Gの電圧が半導体スイッチSWのオン閾値電圧まで上昇しないようにツェナーダイオード5Aおよびツェナーダイオード5Bが構成されている。