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1. (WO2018116418) 半導体製造装置および半導体製造方法

Pub. No.:    WO/2018/116418    International Application No.:    PCT/JP2016/088158
Publication Date: Fri Jun 29 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Dec 22 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/66
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: TANAKA Hiroshi
田中 博司
Title: 半導体製造装置および半導体製造方法
Abstract:
本発明はウエハあるいはウエハに形成された厚み測定対象の表面に段差が形成されている場合も含めて、厚み測定対象の表面における厚みを精度良く算出可能な半導体製造装置および半導体製造方法の提供を目的とする。半導体製造装置は厚み算出機能100を備え、厚み算出機能100は、ウエハの厚みを測定する厚み測定機能50から、ウエハの異なる測定位置における複数の測定値を取得する測定値取得部1と、複数の測定値に基づいてヒストグラムデータを作成するヒストグラムデータ作成部2と、ヒストグラムデータから階級グループを抽出する階級グループ抽出部3と、を備え、階級グループとは、予め定められた度数以上の度数を有する連続した階級であり、抽出された階級グループに含まれる階級に基づいて測定領域の厚みの代表値を算出する代表値算出部4をさらに備える。