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1. (WO2018110376) 半導体装置の製造装置および製造方法
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国際公開番号: WO/2018/110376 国際出願番号: PCT/JP2017/043743
国際公開日: 21.06.2018 国際出願日: 06.12.2017
IPC:
H01L 21/60 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
出願人:
東レエンジニアリング株式会社 TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都中央区八重洲1丁目3番22号(八重洲龍名館ビル) Yaesu Ryumeikan Bldg., 3-22, Yaesu 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030028, JP
発明者:
朝日 昇 ASAHI, Noboru; JP
寺田 勝美 TERADA, Katsumi; JP
陣田 敏行 JINDA, Toshiyuki; JP
千田 雅史 SENDA, Masafumi; JP
優先権情報:
2016-24105513.12.2016JP
発明の名称: (EN) DEVICE FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造装置および製造方法
要約:
(EN) Provided are a device and a method for producing a semiconductor device, in which, when a semiconductor device is produced in separate preliminary and main processes for semiconductor chips, positional offset is prevented in the main compression bonding step, and no heat-related adverse effects are imparted to the semiconductor chips that are not subjected to thermocompression bonding. Specifically, there are provided a device and a method for producing a semiconductor device, comprising a transfer means which has a holding part for partially holding a substrate, and has: a function for moving the substrate from a preliminary thermocompression bonding unit to a main thermocompression bonding unit, and a function for moving the substrate from the main thermocompression bonding unit to the preliminary thermocompression bonding unit.
(FR) L'invention concerne un dispositif et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, dans lesquels, lorsqu'un dispositif à semi-conducteur est produit dans des processus préliminaires et principaux séparés pour des puces à semi-conducteur, un décalage de position est empêché dans l'étape de liaison par compression principale, et aucun effet indésirable lié à la chaleur n'est communiqué aux puces à semi-conducteur qui ne sont pas soumises à une liaison par thermocompression. En particulier, l'invention concerne un dispositif et un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur, comprenant un moyen de transfert qui comprend une partie de maintien pour maintenir partiellement un substrat, et a: une fonction pour déplacer le substrat d'une unité de liaison par thermocompression préliminaire vers une unité de liaison par thermocompression principale, et une fonction pour déplacer le substrat depuis l'unité de liaison par thermocompression principale vers l'unité de liaison par thermocompression préliminaire.
(JA) 半導体チップの仮本分割プロセスで半導体装置を製造するのに際して、本圧着工程において位置ズレを防ぎ、熱圧着対象以外の半導体チップに熱的な悪影響を及ぼすことがない、半導体装置の製造装置および製造方法を提供すること。具体的には、基板を部分的に保持する保持部を有し、前記基板を、仮圧着部から本圧着部に移動する機能と、前記本圧着部から前記仮圧着部に移動する機能を有する搬送手段とを備えた、半導体装置の製造装置装置および製造方法を提供する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)