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1. (WO2018110202) トンネル電界効果トランジスタ

Pub. No.:    WO/2018/110202    International Application No.:    PCT/JP2017/041446
Publication Date: Fri Jun 22 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 18 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/66
H01L 21/336
H01L 29/78
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: MATSUMOTO Koichi
松本 光市
Title: トンネル電界効果トランジスタ
Abstract:
トンネル電界効果トランジスタ10Aは、第2活性領域50、第1活性領域30及び制御電極20の積層構造を有し、第1活性領域30は、第1-A活性領域31、及び、第1-A活性領域31と第1活性領域延在部41との間に少なくとも位置する第1-B活性領域32から構成され、第1-A活性領域31の下方には第2活性領域50が存在し、第1-B活性領域32の下方には第2活性領域50が存在せず、第2活性領域50の正射影像が第1活性領域30の正射影像と重なる第2活性領域50の部分の縁部の総延長をL2-Totalとし、第1活性領域30の軸線方向をX方向、積層構造の積層方向をZ方向としたときのY方向に沿った第1活性領域の長さをL1-Yとしたとき、L1-Y<L2-Totalを満足する。