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1. (WO2018110182) 基板処理装置および基板処理方法
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国際公開番号: WO/2018/110182 国際出願番号: PCT/JP2017/040862
国際公開日: 21.06.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
H01L 21/68 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
68
位置決め,方向決め,または整列のためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1ー1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
村元 僚 MURAMOTO Ryo; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2016-24233814.12.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約:
(EN) Provided is a feature for properly positioning a substrate. A substrate position specification unit 34 brings a contact piece 311 of a peripheral end part detector 31 into contact with the peripheral end part WE of a substrate W at a plurality of points on the peripheral end part WE, the substrate W being held by suction to a spin chuck part 23, and detects the plurality of points on the peripheral end part WE of the substrate W. The substrate position specification unit 34 specifies the substrate position L1, which is the position of the substrate W in the horizontal direction, on the basis of the position of the contact piece 311 when the contact piece 311 comes into contact with the peripheral end part WE. A substrate position correction unit 35 presses, with the contact piece 31, the peripheral end part WE of the substrate W no longer held by suction, on the basis of the difference between a specified substrate position L1 and a standard substrate position LS stored in a memory unit 14 in advance, and thereby moves the substrate W to the standard substrate position LS.
(FR) L'invention concerne un élément permettant de positionner correctement un substrat. Une unité de spécification de position de substrat 34 amène une pièce de contact 311 d'un détecteur de partie d'extrémité périphérique 31 en contact avec la partie d'extrémité périphérique WE d'un substrat W en une pluralité de points sur la partie d'extrémité périphérique WE, le substrat W étant maintenu par aspiration sur une partie de mandrin rotatif 23, et détecte la pluralité de points sur la partie d'extrémité périphérique WE du substrat W. L'unité de spécification de position de substrat 34 spécifie la position de substrat L1, qui est la position du substrat W dans la direction horizontale, sur la base de la position de la pièce de contact 311 lorsque la pièce de contact 311 vient en contact avec la partie d'extrémité périphérique WE. Une unité de correction de position de substrat 35 presse, avec la pièce de contact 31, la partie d'extrémité périphérique WE du substrat W qui n'est plus maintenu par aspiration, sur la base de la différence entre une position de substrat spécifiée L1 et une position de substrat standard LS mémorisée dans une unité de mémoire 14 à l'avance, et déplace ainsi le substrat W vers la position de substrat standard LS.
(JA) 基板を適正に位置決めする技術を提供する。基板位置特定部34は、スピンチャック部23に吸着保持された基板Wの周端部WEに周端検出部31の接触片311を周端部WEの複数点に接触させて、基板Wの周端部WEの複数点を検出する。基板位置特定部34は、接触片311が周端部WEに接触したときの接触片311の位置に基づき、基板Wの水平方向の位置である基板位置L1を特定する。基板位置補正部35は、特定された基板位置L1と予め記憶部14に保存されている標準基板位置LSとの差異に基づき、吸着保持が解除された基板Wの周端部WEを接触片311で押圧することによって、基板Wを標準基板位置LSに移動させる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)