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1. (WO2018110141) 負荷駆動装置
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国際公開番号: WO/2018/110141 国際出願番号: PCT/JP2017/039863
国際公開日: 21.06.2018 国際出願日: 06.11.2017
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,G01R 31/26 (2014.01) ,H01L 21/76 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
31
電気的性質を試験するための装置;電気的故障の位置を示すための装置;試験対象に特徴のある電気的試験用の装置で,他に分類されないもの
26
個々の半導体装置の試験
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
76
構成部品間の分離領域の形成
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
76
構成部品間の分離領域の形成
762
誘電体領域
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP/JP]; 茨城県ひたちなか市高場2520番地 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
発明者:
川田 隆弘 KAWATA Takahiro; JP
小林 洋一郎 KOBAYASHI Yoichiro; JP
渡部 光彦 WATANABE Mitsuhiko; JP
代理人:
戸田 裕二 TODA Yuji; JP
優先権情報:
2016-24228714.12.2016JP
発明の名称: (EN) LOAD DRIVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'EXCITATION DE CHARGE
(JA) 負荷駆動装置
要約:
(EN) Provided are a highly reliable load drive device and a failure diagnosing method therefor, the load drive device having a semiconductor chip mounted therein that uses deep trench isolation (DTI) for inter-element isolation, and being capable of diagnosing the dielectric withstand voltage of DTI. The load drive device with the semiconductor chip mounted therein is characterized in that the semiconductor chip is provided with a load drive output portion formed on a semiconductor substrate, wherein the load drive output portion comprises: a first area in which a MOSFET for load drive control is formed; a first leak current detection element which has a second area insulated and isolated from the first area by DTI and which is disposed in the first area; a second leak current detection element disposed in the second area; and a failure detection portion which determines failure of the load drive output portion.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif d'excitation de charge hautement fiable et sur un procédé de diagnostic de défaillance associé, le dispositif d'excitation de charge dans lequel est montée une puce semi-conductrice qui utilise une isolation de tranchée profonde (DTI pour Deep Trench Isolation) pour une isolation entre éléments, et pouvant diagnostiquer la tension de tenue diélectrique de l'isolation DTI. Le dispositif d'excitation de charge dans lequel est montée la puce semi-conductrice, est caractérisé en ce que la puce semi-conductrice est pourvue d'une partie de sortie d'excitation de charge formée sur un substrat semi-conducteur, la partie de sortie d'excitation de charge comprenant : une première zone dans laquelle est formé un transistor MOSFET destiné à réguler une excitation de charge ; un premier élément de détection de courant de fuite qui comporte une seconde zone protégée et isolée de la première zone par l'isolation DTI et qui est disposée dans la première zone ; un second élément de détection de courant de fuite disposé dans la seconde zone ; et une partie de détection de défaillance qui détermine une défaillance de la partie de sortie d'excitation de charge.
(JA) 素子間分離にDTIを用いた半導体チップを搭載する負荷駆動装置において、DTIの絶縁耐圧の診断が可能な信頼性の高い負荷駆動装置およびその故障診断方法を提供する。 半導体チップが搭載された負荷駆動装置であって、前記半導体チップは、半導体基板上に形成された負荷駆動出力部を備え、前記負荷駆動出力部は、負荷駆動を制御するMOSFETが形成される第1の領域と、DTIにより前記第1の領域と絶縁分離された第2の領域を有し、前記第1の領域に設けられる第1のリーク電流検出素子と、前記第2の領域に設けられる第2のリーク電流検出素子と、前記負荷駆動出力部の故障を判断する故障検出部と、を備えることを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)