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1. (WO2018110093) 半導体装置およびその製造方法並びにセンサ

Pub. No.:    WO/2018/110093    International Application No.:    PCT/JP2017/038383
Publication Date: Fri Jun 22 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Oct 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/8238
H01L 21/336
H01L 21/822
H01L 27/04
H01L 27/088
H01L 27/092
H01L 29/78
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
Inventors: MASUNAGA, Masahiro
増永 昌弘
SATO, Shintaroh
佐藤 慎太郎
SHIMA, Akio
島 明生
HISAMOTO, Digh
久本 大
Title: 半導体装置およびその製造方法並びにセンサ
Abstract:
SiC基板上に形成されたエピタキシャル層と、当該エピタキシャル層の上部に形成されたCMOSとを備えた半導体装置において、SiC基板およびエピタキシャル層の界面に存在する欠陥の成長を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる。その手段として、p型拡散層からn型エピタキシャル層とn型半導体基板との界面までの距離が、基板電極と基板電極との相互間の電位差に応じてp型拡散層からn型半導体基板の裏面に向かって伸びる空乏層の厚さより大きい半導体装置を形成する。