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1. (WO2018109926) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/109926    International Application No.:    PCT/JP2016/087562
Publication Date: Fri Jun 22 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Dec 17 00:59:59 CET 2016
IPC: H03F 1/08
H01L 21/337
H01L 21/338
H01L 29/808
H01L 29/812
H03F 3/195
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YAMAGUCHI, Yutaro
山口 裕太郎
HANGAI, Masatake
半谷 政毅
YAMANAKA, Koji
山中 宏治
Title: 半導体装置
Abstract:
複数のゲートフィンガー電極(2)は、ドレイン電極(3)とソース電極(4)とが交互に隣り合って配置される。ゲート引き回し線路(6)は、複数のゲートフィンガー電極(2)が接続される。抵抗(7)は、一方の端部がゲート引き回し線路(6)の中央部でゲート引き回し線路(6)を両側に分離し、他方の端部が入力線路(10)に接続される。キャパシタ(8)は、抵抗(7)を基準とした両側に配置され、エアブリッジ(9)によってゲート引き回し線路(6)に接続される。