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1. (WO2018109878) 太陽電池および太陽電池の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/109878 国際出願番号: PCT/JP2016/087274
国際公開日: 21.06.2018 国際出願日: 14.12.2016
IPC:
H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0216
被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
西本 陽一郎 NISHIMOTO, Yoichiro; JP
代理人:
高村 順 TAKAMURA, Jun; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SOLAR BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR BATTERY
(FR) BATTERIE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池および太陽電池の製造方法
要約:
(EN) A solar battery is provided with a passivation film (Pa) that comprises a laminated film provided with: a p+-type diffusion layer (14) that is provided on a rear surface (11B) of a p-type single crystal silicon substrate (11), and contains boron at a higher concentration than the impurity concentration of the p-type single crystal silicon substrate (11), boron being an element of a first electroconduction type; a BSG film (12), which is a first glass layer that is laminated on the rear surface (11B) in contact with the p+-type diffusion layer (14), and contains boron and silicon; and an NSG film (13), which is a second glass layer that is laminated on the BSG film (12) and contains silicon but not boron. Also, an n-type diffusion layer (15) is provided on the back surface (11B) or on a light-receiving surface (11A).
(FR) L'invention concerne une batterie solaire pourvue d'un film de passivation (Pa) qui comprend un film stratifié présentant : une couche de diffusion de type p+ (14) qui est disposée sur une surface arrière (11B) d'un substrat de silicium monocristallin de type p (11) et contient du bore à une concentration supérieure à la concentration en impuretés du substrat de silicium monocristallin de type p (11), le bore étant un élément d'un premier type d'électroconduction ; un film BSG (12), qui est une première couche de verre qui est stratifiée sur la surface arrière (11B) en contact avec la couche de diffusion de type p+ (14) et contient du bore et du silicium ; et un film NSG (13), qui est une seconde couche de verre qui est stratifiée sur le film BSG (12) et contient du silicium, mais pas de bore. En outre, une couche de diffusion de type n (15) est disposée sur la surface arrière (11B) ou sur une surface de réception de lumière (11A).
(JA) p型単結晶シリコン基板(11)の裏面(11B)に設けられ、第1の導電型の元素であるボロンをp型単結晶シリコン基板(11)の不純物濃度よりも高濃度に含むp+型拡散層(14)と、裏面(11B)に、p+型拡散層(14)に当接して積層され、ボロンとケイ素とを含む第1のガラス層であるBSG膜(12)と、BSG膜(12)に積層され、ボロンを含まずケイ素を含む第2のガラス層であるNSG膜(13)とを備えた積層膜からなるパッシベーション膜(Pa)とを備える。また、裏面(11B)または受光面(11A)には、n型拡散層(15)を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)