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1. (WO2018109849) 高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム
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国際公開番号: WO/2018/109849 国際出願番号: PCT/JP2016/087128
国際公開日: 21.06.2018 国際出願日: 13.12.2016
IPC:
H01L 31/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
三田 怜 MITTA Ryo; JP
橋上 洋 HASHIGAMI Hiroshi; JP
渡部 武紀 WATABE Takenori; JP
大塚 寛之 OHTSUKA Hiroyuki; JP
代理人:
折坂 茂樹 ORISAKA Shigeki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) HIGHLY EFFICIENT REAR-SURFACE ELECTRODE TYPE SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE, AND SOLAR POWER GENERATION SYSTEM
(FR) CELLULE SOLAIRE DE TYPE À ÉLECTRODE DE SURFACE ARRIÈRE HAUTEMENT EFFICACE, MODULE DE CELLULES SOLAIRES ET SYSTÈME DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE SOLAIRE
(JA) 高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム
要約:
(EN) Provided is a rear-surface electrode type solar cell having an impurity diffusion layer in which impurities of a second conductivity type are diffused and which is formed on the rear surface, which is a non-light-receiving surface, of a semiconductor substrate of a first conductivity type, the rear-surface electrode type solar cell being provided with an electrode connecting to the impurity diffusion layer, wherein the surface concentration of the impurities in the impurity diffusion layer is 5×1017 to 5×1019 atms/cm3 inclusive, and the diffusion depth of the impurities in the impurity diffusion layer is 1 to 2.9 µm inclusive from the surface of the substrate rear surface. Due to this configuration, it is possible to provide a highly efficient rear-surface electrode type solar cell that can be manufactured at a low cost and with a simple method.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire de type à électrode de surface arrière ayant une couche de diffusion d'impuretés dans laquelle des impuretés d'un second type de conductivité sont diffusées et qui est formée sur la surface arrière, qui est une surface non réceptrice de lumière, d'un substrat semiconducteur d'un premier type de conductivité, la cellule solaire de type à électrode de surface arrière comprenant une électrode reliée à la couche de diffusion d'impuretés, la concentration de surface des impuretés dans la couche de diffusion d'impuretés étant de 5×1017 à 5×1019 atomes/cm3 inclus, et la profondeur de diffusion des impuretés dans la couche de diffusion d'impuretés est de 1 à 2,9 µm inclus à partir de la surface de la surface arrière de substrat. Grâce à cette configuration, il est possible de fournir une cellule solaire de type à électrode de surface arrière hautement efficace qui peut être fabriquée à faible coût et avec un procédé simple.
(JA) 第1導電型の半導体基板の非受光面である裏面に、第2導電型の不純物が拡散された不純物拡散層が形成され、不純物拡散層に接続される電極を備える裏面電極型太陽電池セルにおいて、不純物拡散層の不純物の表面濃度が5×1017atms/cm3以上5×1019atms/cm3以下であり、不純物拡散層の不純物の拡散深さが、基板裏面の表面から1μm以上2.9μm以下である。これにより簡便な方法で安価に製造可能な高効率裏面電極型太陽電池セルを提供することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)