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1. (WO2018106233) INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH CRENELLATED METAL TRACE LAYOUT
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/106233 国際出願番号: PCT/US2016/065423
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 07.12.2016
IPC:
H01L 27/02 (2006.01) ,G06F 17/50 (2006.01) ,G06F 13/40 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 23/538 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
17
特定の機能に特に適合したデジタル計算またはデータ処理の装置または方法
50
計算機利用設計
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
13
メモリ,入力/出力装置または中央処理ユニットの間の情報または他の信号の相互接続または転送
38
情報転送,例.バス上での
40
バス構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
528
相互接続構造のレイアウト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
538
絶縁基板の上または中に形成される複数の半導体チップ間の相互接続構造
出願人:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
発明者:
MORROW, Patrick; US
KOBRINSKY, Mauro J.; US
BOHR, Mark T.; US
GHANI, Tahir; US
MEHANDRU, Rishabh; US
KUMAR, Ranjith; US
代理人:
HOWARD, James M.; US
優先権情報:
発明の名称: (EN) INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH CRENELLATED METAL TRACE LAYOUT
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC TRACÉ DE TRACE MÉTALLIQUE CRÉNELÉ
要約:
(EN) Integrated circuit (IC) cell architectures including a crenellated interconnect trace layout. A crenellated trace layout may be employed where an IC cell includes transistor having a source/drain terminal interconnected through a back-side (3D) routing scheme that reduces front-side routing density for a given transistor footprint. In the crenellated layout, adjacent interconnect traces or tracks may have their ends staggered according to a crenellation phase for the cell. Crenellated tracks may intersect one cell boundary with adjacent tracks intersecting an opposite cell boundary. Track ends may be offset by at least the width of an underlying orthogonal interconnect trace. Crenellated track ends may be offset by the width of an underlying orthogonal interconnect trace and half a spacing between adjacent orthogonal interconnect traces.
(FR) L'invention concerne des architectures de cellules de circuit intégré (CI) comprenant un tracé de trace d'interconnexion crénelé. Un tracé de trace crénelé peut être utilisé lorsqu'une cellule de circuit intégré comprend un transistor ayant une borne de source/drain interconnectée par l'intermédiaire d'un schéma de routage côté arrière (3D) qui réduit la densité de routage côté avant pour une empreinte de transistor donnée. Dans le tracé crénelé, des traces ou pistes d'interconnexion adjacentes peuvent avoir leurs extrémités décalées selon une phase de créneaux pour la cellule. Des pistes crénelées peuvent couper une limite de cellule avec des pistes adjacentes croisant une limite de cellule opposée. Les extrémités de piste peuvent être décalées d'au moins la largeur d'une trace d'interconnexion orthogonale sous-jacente. Les extrémités de piste crénelée peuvent être décalées par la largeur d'une trace d'interconnexion orthogonale sous-jacente et la moitié d'un espacement entre des traces d'interconnexion orthogonales adjacentes.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)