WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018105589) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/105589 国際出願番号: PCT/JP2017/043581
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 05.12.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者: MISAKI Katsunori; --
代理人: OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2016-23926609.12.2016JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA COMPRISING TFT SUBSTRATE, AND TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ANTENNE À BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
要約: front page image
(EN) A TFT substrate (105) having a dielectric substrate (1) and a plurality of antenna unit areas (U) arranged upon the dielectric substrate. Each of the plurality of antenna unit areas has a TFT (10) and a patch electrode (7PE) connected to a drain electrode (7D) in the TFT. The TFT substrate has: a source metal layer (7) supported by the dielectric substrate and including a TFT source electrode (7S), the drain electrode, a source bus line (SL) connected to the source electrode, and the patch electrode; a gate metal layer (3) formed upon the source metal layer and including a TFT gate electrode (3G) and a gate bus line (GL) connected to the gate electrode; a gate insulation layer (4) formed between the source metal layer and the gate metal layer; and an interlayer insulation layer (11) formed upon the gate metal layer.
(FR) L'invention concerne un substrat de transistor à couches minces (105) comprenant un substrat diélectrique (1) et une pluralité de zones d'unité d'antenne (U) disposées sur le substrat diélectrique. Chaque zone de la pluralité de zones d'unité d'antenne a un transistor à couches minces (10) et une électrode à plaque (7PE) connectée à une électrode de drain (7D) dans le transistor à couches minces. Le substrat de transistor à couches minces comprend : une couche de métal de source (7) supportée par le substrat diélectrique et comprenant une électrode de source de transistor à couches minces (7S), l'électrode de drain, une ligne de bus de source (SL) connectée à l'électrode de source, et l'électrode à plaque ; une couche de métal de grille (3) formée sur la couche de métal de source et comprenant une électrode de grille de transistor à couches minces (3G) et une ligne de bus de grille (GL) connectée à l'électrode de grille ; une couche d'isolation de grille (4) formée entre la couche de métal de source et la couche de métal de grille ; et une couche d'isolation intercalaire (11) formée sur la couche de métal de grille.
(JA) TFT基板(105)は、誘電体基板(1)と、誘電体基板上に配列された複数のアンテナ単位領域(U)とを有し、複数のアンテナ単位領域のそれぞれは、TFT(10)と、TFTのドレイン電極(7D)に接続されたパッチ電極(7PE)とを有する。TFT基板は、誘電体基板に支持され、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極、ソース電極に接続されたソースバスライン(SL)、およびパッチ電極を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成され、TFTのゲート電極(3G)およびゲート電極に接続されたゲートバスライン(GL)を含むゲートメタル層(3)と、ソースメタル層とゲートメタル層との間に形成されたゲート絶縁層(4)と、ゲートメタル層上に形成された層間絶縁層(11)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)