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1. (WO2018105570) 低欠陥化グラフェン系炭素材料及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/105570 国際出願番号: PCT/JP2017/043528
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 04.12.2017
予備審査請求日: 28.09.2018
IPC:
C01B 32/192 (2017.01)
[IPC code unknown for C01B 32/192]
出願人:
国立大学法人北海道大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY [JP/JP]; 北海道札幌市北区北8条西5丁目 Kita 8-jyo Nishi 5-chome, Kita-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 0600808, JP
発明者:
向井 紳 MUKAI Shin; JP
荻野 勲 OGINO Isao; JP
岩村 振一郎 IWAMURA Shinichiroh; JP
深澤 剛 FUKAZAWA Go; JP
代理人:
特許業務法人特許事務所サイクス SIKS & CO.; 東京都中央区京橋一丁目8番7号 京橋日殖ビル8階 8th Floor, Kyobashi-Nisshoku Bldg., 8-7, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
優先権情報:
2016-23601905.12.2016JP
発明の名称: (EN) DEFECT-REDUCED GRAPHENE CARBON MATERIAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) MATÉRIAU CARBONÉ DE GRAPHÈNE A DÉFAUTS RÉDUITS ET MÉTHODE DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 低欠陥化グラフェン系炭素材料及びその製造方法
要約:
(EN) The present invention pertains to a graphene carbon material having a BET specific surface area of 50 m2g-1 or more, a mesopore volume of 0.05 cm3g-1 or more, and a defect density of 2.5 × 1011 cm-2 or less. The C/O atomic ratio is, for example, within the range of 10-15000. The present invention pertains to a method for producing a defect-reduced graphene carbon material, the method comprising (1) a step for reducing the bulk density of oxidized graphene (e.g., to a bulk density of not less than 0.001 gcm-3 but less than 0.08 gcm-3), and (2) a step for subjecting the low-bulk-density oxidized graphene obtained in step (1) to a microwave irradiation process to obtain a graphene carbon material having a reduced defect density. The present invention provides a graphene carbon material having a relatively large mesopore volume, a relatively large specific surface area, and a reduced defect density, and provides a production method for the graphene carbon material.
(FR) La présente invention concerne un matériau carboné de graphène ayant une surface spécifique BET de 50 m2g-1, un volume de mésopores de 0,05 cm3g-1 ou plus, et une densité de défauts de 2,5 × 1011 cm-2 ou moins. Le rapport atomique C/O est, par exemple, dans la plage de 10 à 15000. La présente invention concerne une méthode de production d'un matériau carboné de graphène à défauts réduits, la méthode comprenant (1) une étape de réduction de la densité apparente de graphène oxydé (par exemple, à une densité apparente non inférieure à 0,001 gcm-3 mais inférieure à 0,08 gcm-3), et (2) une étape consistant à soumettre le graphène oxydé de faible densité apparente obtenu à l'étape (1) à un procédé d'irradiation par micro-ondes pour obtenir un matériau carboné de graphène ayant une densité de défauts réduite. La présente invention concerne un matériau carboné de graphène ayant un volume de mésopores relativement grand, une surface spécifique relativement grande, et une densité de défauts réduite, et concerne une méthode de production du matériau carboné de graphène.
(JA) 本発明は、BET法比表面積が50m2-1以上であり、メソ孔容積が0.05cm3-1以上であり、かつ欠陥密度が2.5×1011cm-2以下である、グラフェン系炭素材料に関する。C/O原子比は例えば、10~15000の範囲である。本発明は、(1)酸化グラフェンを低かさ密度化(例えば、かさ密度0.001gcm-3以上、0.08gcm-3未満)する工程、及び(2)工程(1)で得られた低かさ密度化酸化グラフェンをマイクロ波照射処理して欠陥密度の低下したグラフェン系炭素材料を得る工程を含む低欠陥化グラフェン系炭素材料の製造方法に関する。本発明は、比較的大きなメソ孔容積、比較的大きな比表面積に加え、低い欠陥密度を兼ね備えたグラフェン系炭素材料及びその製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)