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1. (WO2018105558) 固体撮像素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/105558 国際出願番号: PCT/JP2017/043487
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 04.12.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
出願人: TOPPAN PRINTING CO.,LTD.[JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
発明者: YAMAMOTO Kazuto; JP
SAKATA Yo; JP
代理人: HIROSE Hajime; JP
MIYASAKA Toru; JP
優先権情報:
2016-23584005.12.2016JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子
要約: front page image
(EN) Provide is a solid-state imaging element which is capable of efficiently reflecting red light that has transmitted through a photoelectric conversion element toward the photoelectric conversion element, while having excellent red light sensitivity, and wherein a substrate is easily handled during the formation of the element. This solid-state imaging element is configured such that a plurality of photoelectric conversion elements 21 are two-dimensionally arranged within a semiconductor layer (20). The semiconductor layer (20) is formed on a supporting substrate (10), in the surface of which an interlayer insulating layer (22) and a plurality of light-reflecting structures (14) are formed. Each light-reflecting structure (14) comprises a light-transmitting layer (11) and a reflective metal (12) that has the form of a curved surface and covers the surface of the light-transmitting layer (11); and the light-reflecting structures (14) are arranged on the back surface side of the photoelectric conversion elements (21), respectively. The interlayer insulating layer (22) is positioned between light-reflecting structures (14) adjacent to each other.
(FR) L'invention concerne un élément d'imagerie à semiconducteurs qui est capable de réfléchir efficacement la lumière rouge qui a été transmise à travers un élément de conversion photoélectrique vers l'élément de conversion photoélectrique, tout en ayant une excellente sensibilité à la lumière rouge, et un substrat étant facilement manipulé pendant la formation de l'élément. Cet élément d'imagerie à semiconducteurs est configuré de telle sorte qu'une pluralité d'éléments de conversion photoélectrique 21 sont disposés en deux dimensions à l'intérieur d'une couche semiconductrice (20). La couche semiconductrice (20) est formée sur un substrat de support (10), dans la surface duquel une couche isolante intercouche (22) et une pluralité de structures de réflexion de lumière (14) sont formées. Chaque structure de réflexion de lumière (14) comprend une couche de transmission de lumière (11) et un métal réfléchissant (12) qui a la forme d'une surface incurvée et recouvre la surface de la couche de transmission de lumière (11); et les structures de réflexion de lumière (14) sont agencées sur le côté de surface arrière des éléments de conversion photoélectrique (21), respectivement. La couche isolante intercouche (22) est positionnée entre des structures de réflexion de lumière (14) adjacentes l'une à l'autre.
(JA) 光電変換素子を透過した赤色光を効率よく光電変換素子に向けて反射することができて優れた赤色光感度を有し、かつ、素子形成時の基板ハンドリングが容易である固体撮像素子を提供する。固体撮像素子は、半導体層(20)内に複数の光電変換素子21が二次元状に配列されて構成されている。そして、半導体層(20)は、表面に層間絶縁層(22)と複数の光反射構造(14)とが形成された支持基板(10)上に形成されている。光反射構造(14)は、光透過層(11)と該光透過層(11)の表面を覆う曲面形状からなる反射金属(12)とを有し、かつ、各光電変換素子(21)の裏面側にそれぞれ配置されている。層間絶縁層(22)は、隣り合う光反射構造(14)の間に位置している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)