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1. (WO2018105520) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/105520 国際出願番号: PCT/JP2017/043295
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 01.12.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1333 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者: MISAKI Katsunori; --
代理人: OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2016-23875408.12.2016JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA COMPRISING TFT SUBSTRATE, AND TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE DE BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
要約: front page image
(EN) A TFT substrate (105) having a source–gate connection (SG) arranged in a non-transmission/reception region (R2). The source–gate connection has: source lower connection wiring (3sg) included in a gate metal layer (3); a first opening (4sg1) formed in a gate insulation layer (4) and reaching the source lower connection wiring; a source bus line connection (7sg) included in a source metal layer (7) and connected to a source bus line (SL); a second opening (11sg1) formed in a first insulating layer (11) and overlapping the first opening when viewed from the normal direction of a dielectric substrate (1); a third opening (11sg2) formed in the first insulating layer and reaching the source bus line connection; a first connection (13sg) including at least one conductive layer formed between the first insulating layer and a second insulating layer, said first connection being connected to the source lower connection wiring inside the first opening and connected to the source bus line connection inside the third opening; fourth openings (17sg1, 17sg2) formed in the second insulation layer (17) and reaching the first connection; and a second connection (19sg) included in an upper conductive layer (19) and connected to the first connection inside the fourth openings.
(FR) L'invention concerne un substrat TFT (105) ayant une connexion source-grille (SG) disposée dans une région de non transmission/réception (R2). La connexion source-grille comprend : un câblage de connexion inférieur de source (3sg) inclus dans une couche de métal de grille (3); une première ouverture (4sg1) formée dans une couche d'isolation de grille (4) et atteignant le câblage de connexion inférieur de source; une connexion de ligne de bus source (7sg) incluse dans une couche métallique source (7) et connectée à une ligne de bus source (SL); une seconde ouverture (11sg1) formée dans une première couche isolante (11) et chevauchant la première ouverture lorsqu'elle est vue depuis la direction normale d'un substrat diélectrique (1); une troisième ouverture (11sg2) formée dans la première couche isolante et atteignant la connexion de ligne de bus source; une première connexion (13sg) comprenant au moins une couche conductrice formée entre la première couche isolante et une seconde couche isolante, ladite première connexion étant connectée au câblage de connexion inférieur de source à l'intérieur de la première ouverture et connectée à la connexion de ligne de bus source à l'intérieur de la troisième ouverture; des quatrièmes ouvertures (17sg1, 17sg2) formées dans la seconde couche d'isolation (17) et atteignant la première connexion; et une seconde connexion (19sg) incluse dans une couche conductrice supérieure (19) et connectée à la première connexion à l'intérieur des quatrièmes ouvertures.
(JA) TFT基板(105)は、非送受信領域(R2)に配置されたソース-ゲート接続部(SG)を有する。ソース-ゲート接続部は、ゲートメタル層(3)に含まれるソース下部接続配線(3sg)と、ゲート絶縁層(4)に形成され、ソース下部接続配線に達する第1開口部(4sg1)と、ソースメタル層(7)に含まれ、ソースバスライン(SL)に接続されたソースバスライン接続部(7sg)と、第1絶縁層(11)に形成され、誘電体基板(1)の法線方向から見たとき第1開口部に重なる第2開口部(11sg1)と、第1絶縁層に形成され、ソースバスライン接続部に達する第3開口部(11sg2)と、第1絶縁層と第2絶縁層との間に形成された少なくとも1つの導電層を含み、第1開口部内でソース下部接続配線に接続され、第3開口部内でソースバスライン接続部に接続された第1接続部(13sg)と、第2絶縁層(17)に形成され、第1接続部に達する第4開口部(17sg1、17sg2)と、上部導電層(19)に含まれ、第4開口部内で第1接続部に接続された第2接続部(19sg)とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)