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1. (WO2018105520) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/105520 国際出願番号: PCT/JP2017/043295
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 01.12.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/13 (2006.01) ,G02F 1/1333 (2006.01) ,G02F 1/1343 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01Q 3/34 (2006.01) ,H01Q 3/44 (2006.01) ,H01Q 13/22 (2006.01) ,H01Q 21/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
1333
構造配置
1343
電極
G 物理学
02
光学
F
光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1
独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01
強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
13
液晶に基づいたもの,例.単一の液晶表示セル
133
構造配置;液晶セルの作動;回路配置
136
半導体の層または基板と構造上組み合された液晶セル,例.集積回路の一部を構成するセル
1362
アクティブマトリックスセル
1368
スイッチング素子が三端子の素子であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
26
2つ以上の輻射素子の間の励振電力の相対的な位相または振幅を変えるもの;放射開口に加えるエネルギの分布を変えるもの
30
位相を変えるもの
34
電気的な手段によるもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
3
空中線または空中線系から放射される電波の指向特性の方向または形を変えるための構成
44
輻射器と組み合わされた反射,屈折または回折するための装置の電気的または磁気的な特性を変えるもの
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
13
導波管ホーンまたは開口;スロット空中線;漏洩導波管空中線;伝送路に沿って放射を起こす等価構成
20
非共振漏洩導波管または伝送線路空中線;伝送路に沿って放射を起す等価構成
22
導波管や伝送線路の境界壁に軸方向に設けたスロット
H 電気
01
基本的電気素子
Q
空中線
21
空中線配列または系
06
同一方向に偏波された間隔を置いて配置された個々に励振された空中線単位の配列
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
美崎 克紀 MISAKI Katsunori; --
代理人:
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
優先権情報:
2016-23875408.12.2016JP
発明の名称: (EN) TFT SUBSTRATE, SCANNING ANTENNA COMPRISING TFT SUBSTRATE, AND TFT SUBSTRATE PRODUCTION METHOD
(FR) SUBSTRAT TFT, ANTENNE DE BALAYAGE COMPRENANT UN SUBSTRAT TFT, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT TFT
(JA) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
要約:
(EN) A TFT substrate (105) having a source–gate connection (SG) arranged in a non-transmission/reception region (R2). The source–gate connection has: source lower connection wiring (3sg) included in a gate metal layer (3); a first opening (4sg1) formed in a gate insulation layer (4) and reaching the source lower connection wiring; a source bus line connection (7sg) included in a source metal layer (7) and connected to a source bus line (SL); a second opening (11sg1) formed in a first insulating layer (11) and overlapping the first opening when viewed from the normal direction of a dielectric substrate (1); a third opening (11sg2) formed in the first insulating layer and reaching the source bus line connection; a first connection (13sg) including at least one conductive layer formed between the first insulating layer and a second insulating layer, said first connection being connected to the source lower connection wiring inside the first opening and connected to the source bus line connection inside the third opening; fourth openings (17sg1, 17sg2) formed in the second insulation layer (17) and reaching the first connection; and a second connection (19sg) included in an upper conductive layer (19) and connected to the first connection inside the fourth openings.
(FR) L'invention concerne un substrat TFT (105) ayant une connexion source-grille (SG) disposée dans une région de non transmission/réception (R2). La connexion source-grille comprend : un câblage de connexion inférieur de source (3sg) inclus dans une couche de métal de grille (3); une première ouverture (4sg1) formée dans une couche d'isolation de grille (4) et atteignant le câblage de connexion inférieur de source; une connexion de ligne de bus source (7sg) incluse dans une couche métallique source (7) et connectée à une ligne de bus source (SL); une seconde ouverture (11sg1) formée dans une première couche isolante (11) et chevauchant la première ouverture lorsqu'elle est vue depuis la direction normale d'un substrat diélectrique (1); une troisième ouverture (11sg2) formée dans la première couche isolante et atteignant la connexion de ligne de bus source; une première connexion (13sg) comprenant au moins une couche conductrice formée entre la première couche isolante et une seconde couche isolante, ladite première connexion étant connectée au câblage de connexion inférieur de source à l'intérieur de la première ouverture et connectée à la connexion de ligne de bus source à l'intérieur de la troisième ouverture; des quatrièmes ouvertures (17sg1, 17sg2) formées dans la seconde couche d'isolation (17) et atteignant la première connexion; et une seconde connexion (19sg) incluse dans une couche conductrice supérieure (19) et connectée à la première connexion à l'intérieur des quatrièmes ouvertures.
(JA) TFT基板(105)は、非送受信領域(R2)に配置されたソース-ゲート接続部(SG)を有する。ソース-ゲート接続部は、ゲートメタル層(3)に含まれるソース下部接続配線(3sg)と、ゲート絶縁層(4)に形成され、ソース下部接続配線に達する第1開口部(4sg1)と、ソースメタル層(7)に含まれ、ソースバスライン(SL)に接続されたソースバスライン接続部(7sg)と、第1絶縁層(11)に形成され、誘電体基板(1)の法線方向から見たとき第1開口部に重なる第2開口部(11sg1)と、第1絶縁層に形成され、ソースバスライン接続部に達する第3開口部(11sg2)と、第1絶縁層と第2絶縁層との間に形成された少なくとも1つの導電層を含み、第1開口部内でソース下部接続配線に接続され、第3開口部内でソースバスライン接続部に接続された第1接続部(13sg)と、第2絶縁層(17)に形成され、第1接続部に達する第4開口部(17sg1、17sg2)と、上部導電層(19)に含まれ、第4開口部内で第1接続部に接続された第2接続部(19sg)とを有する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)