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1. (WO2018105349) SiC膜の成膜方法

Pub. No.:    WO/2018/105349    International Application No.:    PCT/JP2017/041237
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Nov 17 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/314
C23C 16/02
C23C 16/42
H01L 21/20
H01L 21/205
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
Inventors: KATOU, Taiki
加藤 大輝
AZUMO, Shuji
東雲 秀司
KASHIWAGI, Yusaku
柏木 勇作
Title: SiC膜の成膜方法
Abstract:
被処理体にSiC膜をALD法により形成する成膜方法は、活性化ガスをプラズマ化した活性化ガスプラズマにより、被処理体の表面を活性化させる活性化工程と、当該活性化工程によって表面が活性化された被処理体に、一般式RSiX13またはRSiHClX2で表される前駆体を含む原料ガスを供給しSiC膜を形成する膜形成工程と、を含み、Rは不飽和結合を有する有機基であり、X1はH、F、Cl、Br及びIから選択されものであり、X2はCl、Br及びIから選択されるものである。