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1. (WO2018105336) 抵抗率測定方法
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国際公開番号: WO/2018/105336 国際出願番号: PCT/JP2017/041005
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 15.11.2017
IPC:
H01L 21/66 (2006.01) ,G01R 27/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
G 物理学
01
測定;試験
R
電気的変量の測定;磁気的変量の測定
27
抵抗,リアクタンス,インピーダンスまたはそれらから派生する電気的特性を測定する装置
02
実数または複素抵抗,リアクタンス,インピーダンス,またはそれらから誘導される二端子特性,例.時定数,を測定するもの
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
久米 史高 KUME Fumitaka; JP
船木 光義 FUNAKI Mitsuyoshi; JP
樫野 久寿 KASHINO Hisashi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-23883908.12.2016JP
発明の名称: (EN) RESISTIVITY MEASURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE RÉSISTIVITÉ
(JA) 抵抗率測定方法
要約:
(EN) The present invention provides a resistivity measuring method comprising: a mercury electrode forming step of forming a mercury electrode by bringing mercury into contact with a semiconductor single crystalline wafer; a forward bias voltage application step of applying a forward bias voltage to the mercury electrode; a C-V measuring step of applying a reverse bias voltage to the mercury electrode, and measuring a varying capacitance of the semiconductor single crystalline wafer; and a resistivity computing step of computing a resistivity on the basis of a relationship between the reverse bias voltage and the capacitance. In this way, a resistivity measuring method using a C-V technique is provided by which the resistivity of a semiconductor single crystalline wafer can be more reliably measured.
(FR) La présente invention concerne un procédé de mesure de résistivité comprenant : une étape de formation d'électrode à mercure consistant à former une électrode à mercure par mise en contact du mercure avec une tranche monocristalline semi-conductrice ; une étape d'application de tension de polarisation directe consistant à appliquer une tension de polarisation directe à l'électrode à mercure ; une étape de mesure de C-V consistant à appliquer une tension de polarisation inverse à l'électrode à mercure, et à mesurer une capacité variable de la tranche monocristalline semi-conductrice ; et une étape de calcul de résistivité consistant à calculer une résistivité sur la base d'une relation entre la tension de polarisation inverse et la capacité. De cette manière, on obtient un procédé de mesure de résistivité utilisant une technique C-V par lequel la résistivité d'une tranche monocristalline semi-conductrice peut être mesurée de manière plus fiable.
(JA) 本発明は、半導体単結晶ウェーハに水銀を接触させて水銀電極となす水銀電極形成工程と、前記水銀電極に順バイアス電圧を印加する順バイアス電圧印加工程と、前記水銀電極に逆バイアス電圧を印加して変化する前記半導体単結晶ウェーハの容量を測定するC-V測定工程と、前記逆バイアス電圧と前記容量の関係から抵抗率を演算する抵抗率演算工程とを有する抵抗率測定方法を提供する。これにより、半導体単結晶ウェーハの抵抗率をより確実に測定することができるC-V法による抵抗率測定方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)