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1. (WO2018105334) 固体撮像素子及び電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/105334    国際出願番号:    PCT/JP2017/040942
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/363 (2011.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: KAWAI Nobuhiro; (JP)
代理人: YAMAMOTO Takahisa; (JP).
YOSHII Masaaki; (JP)
優先権情報:
2016-239152 09.12.2016 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP ELEMENT AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D’IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子及び電子機器
要約: front page image
(EN)Disclosed is a solid-state image pickup element wherein a charge storage section for storing charges photoelectrically converted by a photoelectric conversion section, a reset transistor that selectively applies a reset voltage to the charge storage section, an amplifier transistor, the gate electrode of which is electrically connected to the charge storage section, and a selection transistor connected in series to the amplifier transistor are disposed in a pixel. The solid-state image pickup element is provided with: first wiring that electrically connects the charge storage section and the gate electrode of the amplifier transistor to each other; second wiring, which is electrically connected to a common connection node of the amplifier transistor and the selection transistor, and which is formed along the first wiring; and third wiring, which electrically connects the amplifier transistor and the selection transistor to each other.
(FR)L'invention concerne un élément de capture d'image à semi-conducteur dans lequel une section de stockage de charges pour stocker des charges converties de manière photoélectrique par une section de conversion photoélectrique, un transistor de réinitialisation qui applique sélectivement une tension de réinitialisation à la section de stockage de charges, un transistor amplificateur dont l'électrode de grille est connectée électriquement à la section de stockage de charges, et un transistor de sélection connecté en série au transistor amplificateur, sont disposés dans un pixel. L'élément de capture d'image à semi-conducteur comprend : un premier câblage qui connecte électriquement la section de stockage de charges et l'électrode de grille du transistor amplificateur l'un à l'autre ; un second câblage, qui est électriquement connecté à un nœud de connexion commun du transistor amplificateur et du transistor de sélection, et qui est formé le long du premier câblage ; et un troisième câblage, qui connecte électriquement le transistor amplificateur et le transistor de sélection l'un à l'autre.
(JA)本開示の固体撮像素子は、画素内に、光電変換部で光電変換された電荷を蓄積する電荷蓄積部、電荷蓄積部に対して選択的にリセット電圧を与えるリセットトランジスタ、電荷蓄積部にゲート電極が電気的に接続された増幅トランジスタ、及び、増幅トランジスタに対して直列に接続された選択トランジスタが配置されている。そして、電荷蓄積部と増幅トランジスタのゲート電極との間を電気的に接続する第1の配線、増幅トランジスタ及び選択トランジスタの共通接続ノードに電気的に接続され、第1の配線に沿って形成された第2の配線、及び、増幅トランジスタと選択トランジスタとの間を電気的に接続する第3の配線、を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)