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1. (WO2018105317) シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/105317    国際出願番号:    PCT/JP2017/040698
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 13.11.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/20 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
発明者: SUGAWARA Kosei; (JP).
HOSHI Ryoji; (JP)
代理人: YOSHIMIYA Mikio; (JP).
KOBAYASHI Toshihiro; (JP)
優先権情報:
2016-238941 09.12.2016 JP
発明の名称: (EN) SILICON SINGLE CRYSTAL PRODUCTION METHOD, AND SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE SILICIUM, ET TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ
要約: front page image
(EN)The present invention is a silicon single crystal production method in which a silicon single crystal is grown in such a manner that the relation represented by the formula: 1096/D-(0.134×M+80×R)/D > 0.7 can be satisfied, wherein the silicon single crystal drawing diameter is 300 mm or more, the growth axis direction of the silicon single crystal is <111>, D [mm] represents the silicon single crystal drawing diameter, M [Gauss] represents the center magnetic field strength of the surface of a raw material melt, and R [rpm] represents the rotation velocity of the silicon single crystal in the drawing of the silicon single crystal by Czochralski method while applying a magnetic field to the raw material melt. It becomes possible to produce a <111> crystal having a good macroscopic RRG distribution and good microscopic fluctuations in resistivity.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d’un monocristal de silicium dans lequel un monocristal de silicium est cultivé d’une manière telle que la relation représentée par la formule : 1096/D-(0,134 x M + 80 x R)/D > 0,7 peut être satisfaite, le diamètre d’étirage du monocristal de silicium étant de 300 mm ou plus, le sens de l’axe de croissance du monocristal de silicium est de <111>, D [mm] représente le diamètre d’étirage du monocristal de silicium, M [Gauss] représente la force du champ magnétique central de la surface d’une masse fondue de matière première, et R [tr/min] représente la vitesse de rotation du monocristal de silicium dans l’étirage du monocristal de silicium par le procédé de Czochralski tout en appliquant un champ magnétique à la masse fondue de matière première. Il devient possible de produire un cristal <111> présentant une bonne distribution (RRG) macroscopique et de bonnes fluctuations microscopiques en termes de résistivité.
(JA)本発明は、原料融液に磁場を印加してチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げる際、シリコン単結晶の引上げ直径を300mm以上とし、シリコン単結晶の成長軸方位を<111>とし、シリコン単結晶の引上げ直径をD[mm]、原料融液表面の中心磁場強度をM[Gauss]、シリコン単結晶の回転速度をR[rpm]として、1096/D-(0.134×M+80×R)/D>0.7の関係を満たすようにシリコン単結晶の成長を行なうシリコン単結晶製造方法である。これにより、巨視的なRRG分布及び微視的な抵抗率変動が良好な<111>結晶が製造可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)