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1. (WO2018105310) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/105310    International Application No.:    PCT/JP2017/040515
Publication Date: Fri Jun 15 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 29/06
H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 29/41
H01L 29/78
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: MIZUKAMI Taku
水上 拓
Title: 半導体装置
Abstract:
半導体装置は、半導体基板(30)と、前記半導体基板の一面(30a)の表層において環状に形成され、互いに異なる電位となる複数のガードリング(10)と、それぞれの前記ガードリングに対応して前記ガードリングに沿って形成され、前記ガードリングと電気的に接続された複数の第1電極層(11)と、前記第1電極層に絶縁層(41)を介して積層され、前記絶縁層を貫通する中継層(13)により前記第1電極層と電気的に接続された第2電極層(12)と、を備える。前記第2電極層は、積層方向において、電位の異なる少なくとも2つの前記第1電極層の少なくとも一部とオーバーラップする。