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1. (WO2018105306) 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法
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国際公開番号: WO/2018/105306 国際出願番号: PCT/JP2017/040503
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 10.11.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/08 (2012.01) ,B24B 37/28 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
04
平面を加工するために設計されたもの
07
工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
08
両面ラッピングのためのもの
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
27
ラッピングキャリア
28
平面の両面ラッピングのためのもの
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
田中 佑宜 TANAKA Yuki; JP
北爪 大地 KITAZUME Daichi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-23917409.12.2016JP
発明の名称: (EN) DOUBLE-SIDE POLISHING DEVICE CARRIER, DOUBLE-SIDE POLISHING DEVICE, AND DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD
(FR) SUPPORT DE DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE, DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE
(JA) 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法
要約:
(EN) The present invention provides a double-side polishing device carrier for a double-side polishing device which performs double-side polishing of a semiconductor silicon wafer, wherein the double-side polishing device carrier is disposed between upper and lower surface plates each having polishing cloth attached thereto, and is formed with holding holes for holding the semiconductor silicon wafer being sandwiched between the upper and lower surface plates during polishing. The double-side polishing device carrier is made of resin, has an average contact angle value of not less than 45° and not more than 60° with respect to pure water on front and back surfaces that contact the polishing cloth, wherein a difference between the average contact angle values on a front surface and a back surface is not more than 5°. Thus, there are provided a double-side polishing device carrier which uses a resin carrier and with which the rate of polishing of a semiconductor silicon wafer can be improved, and a double-side polishing device and a double-side polishing method using the same.
(FR) La présente invention concerne un support de dispositif de polissage double face pour un dispositif de polissage double face qui effectue un polissage double face d'une tranche de silicium semi-conductrice, le support de dispositif de polissage double face étant disposé entre des plaques de surface supérieure et inférieure ayant chacune un tissu de polissage fixé à celles-ci, et étant formé avec des trous de maintien pour maintenir la tranche de silicium semi-conductrice prise en sandwich entre les plaques de surface supérieure et inférieure pendant le polissage. Le support de dispositif de polissage double face est constitué de résine, a une valeur d'angle de contact moyen supérieure ou égale à 45° et inférieure ou égale à 60° par rapport à l'eau pure sur les surfaces avant et arrière qui entrent en contact avec le tissu de polissage, une différence entre les valeurs d'angle de contact moyen sur une surface avant et une surface arrière étant inférieure ou égale à 5°. Ainsi, l'invention concerne un support de dispositif de polissage double face qui utilise un support de résine et avec lequel la vitesse de polissage d'une tranche de silicium semi-conductrice peut être améliorée, et un dispositif de polissage double face ainsi qu'un procédé de polissage double face l'utilisant.
(JA) 本発明は、半導体シリコンウェーハを両面研磨する両面研磨装置において、研磨布がそれぞれ貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた前記半導体シリコンウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、該両面研磨装置用キャリアは樹脂製であり、前記研磨布と接触する表裏面の純水に対する接触角の平均値が45°以上60°以下であり、かつ、オモテ面とウラ面の接触角の平均値の差が5°以内である両面研磨装置用キャリアを提供する。これにより、樹脂製キャリアを用いた、半導体シリコンウェーハの研磨レートを向上させることができる両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)