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1. (WO2018105201) 複合部品及びその実装構造
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国際公開番号: WO/2018/105201 国際出願番号: PCT/JP2017/034528
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 25.09.2017
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H01L 25/00 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
松本 克也 MATSUMOTO, Katsuya; JP
豊田 祐二 TOYOTA, Yuji; JP
代理人:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2016-23854108.12.2016JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE COMPONENT AND STRUCTURE FOR MOUNTING SAME
(FR) COMPOSANT COMPOSITE STRATIFIÉ ET SA STRUCTURE DE MONTAGE
(JA) 複合部品及びその実装構造
要約:
(EN) Provided is a composite component which has a semiconductor device and an acoustic wave device stacked therein and which has excellent heat dissipation. In a composite component 3: a semiconductor device 21 is stacked on an acoustic wave device 11; lateral surface electrodes 6, 7 each extend from at least one of a plurality of lateral surfaces 12c, 12d of a piezoelectric substrate 12 in the acoustic wave device 11 to at least one of a plurality of lateral surfaces 22c, 22d of a semiconductor substrate 22 in the semiconductor device 21, and are connected to IDT electrodes 13 and functional electrodes 23a to 23c; and the lateral surface electrodes 6, 7 each extend to at least either a second main surface 12b of the piezoelectric substrate 12 or a second main surface 22b of the semiconductor substrate 22.
(FR) Cette invention concerne un composant composite qui a un dispositif à semi-conducteur et un dispositif à ondes acoustiques empilés à l'intérieur de celui-ci et qui a une excellente dissipation thermique. Dans un composant composite (3) : un dispositif à semi-conducteur (21) est empilé sur un dispositif à ondes acoustiques (11) ; des électrodes de surface latérale (6, 7) s'étendent chacune à partir d'au moins une surface latérale parmi une pluralité de surfaces latérales (12c, 12d) d'un substrat piézoélectrique (12) dans le dispositif à ondes acoustiques (11) vers au moins l'une d'une pluralité de surfaces latérales (22c, 22d) d'un substrat semi-conducteur (22) dans le dispositif à semi-conducteur (21), et sont connectées à des électrodes IDT (13) et à des électrodes fonctionnelles (23a à 23c) ; et chacune des électrodes de surface latérale (6, 7) s'étend vers au moins une seconde surface principale (12b) du substrat piézoélectrique (12) ou une seconde surface principale (22b) du substrat semi-conducteur (22).
(JA) 半導体装置と弾性波装置とが積層されており、放熱性に優れた複合部品を提供する。 弾性波装置11上に半導体装置21が積層されており、側面電極6,7が弾性波装置11の圧電性基板12における複数の側面12c,12dのうちの少なくとも1つの側面から半導体装置21の半導体基板22における複数の側面22c,22dのうち少なくとも1つの側面に至っており、かつIDT電極13及び機能電極23a~23cに接続されており、側面電極6,7は圧電性基板12における第2の主面12b上及び半導体基板22における第2の主面22b上の少なくとも一方に至っている、複合部品3。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)