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1. (WO2018105192) シリコン単結晶の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/105192 国際出願番号: PCT/JP2017/033226
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 14.09.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/20 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
15
融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法
20
制御または調整(制御または調整一般G05)
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
松本 克 MATSUMOTO Suguru; JP
園川 将 SONOKAWA Susumu; JP
上杉 敏治 UESUGI Toshiharu; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-23786707.12.2016JP
発明の名称: (EN) PRODUCTION METHOD FOR MONOCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) シリコン単結晶の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a method for producing a monocrystalline silicon having a resistivity of as high as 1000 Ωcm or more using the CZ process, the method being characterized in that a monocrystalline silicon is produced by calculating, in advance, the difference between a desired resistivity and the resistivity of a monocrystalline silicon produced by adjusting the added amount of a doping agent on the basis of the concentration of impurities in the bulk portions and surface of a polycrystalline silicon which is a raw material, defining the difference as the influence of an environmental contamination amount, and adjusting the added amount of the doping agent so as to cancel the environmental contamination amount, on the basis of the environmental contamination amount and the concentration of impurities in the bulk portions and surface of the polycrystalline silicon. As a result, provided is a monocrystalline silicon production method capable of highly accurately producing a monocrystalline silicon which has a resistivity of as high as 1000 Ωcm or more, but has a desired resistivity.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production de silicium monocristallin présentant une résistivité aussi élevée que 1 000 Ωcm ou plus en utilisant le procédé CZ, le procédé étant caractérisé en ce qu’un silicium monocristallin est produit en calculant, à l’avance, la différence entre une résistivité souhaitée et la résistivité d’un silicium monocristallin produit par réglage de la quantité ajoutée d’un agent dopant sur la base de la concentration des impuretés dans les parties de masse et de surface d’un silicium polycristallin qui est une matière première, en définissant la différence comme étant l’influence d’une quantité de contamination environnementale, et en réglant la quantité ajoutée de l’agent dopant afin d’annuler la quantité de contamination environnementale, sur la base de la quantité de contamination environnementale et de la concentration des impuretés des parties de masse et de surface du silicium polycristallin. En résultat, la présente invention fournit un procédé de production de silicium monocristallin permettant de produire avec une grande précision un silicium monocristallin qui présente une résistivité aussi élevée que 1 000 Ωcm ou plus, mais présente une résistivité souhaitée.
(JA) 本発明は、CZ法により1000Ωcm以上の高抵抗率のシリコン単結晶を製造する方法であって、予め原料となる多結晶シリコンの表面及びバルク部分の不純物濃度に基づいてドープ剤の投入量を調整して製造したシリコン単結晶の抵抗率と狙い抵抗率の差異を求め、この差異を環境汚染量の影響と定義し、次に前記多結晶シリコンの表面及びバルク部分の不純物濃度と前記環境汚染量に基づいて前記環境汚染量を相殺するように前記ドープ剤の投入量を調整してシリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。これにより、1000Ωcm以上の高抵抗率のシリコン単結晶であっても、所望の抵抗率を有するシリコン単結晶を精度よく製造可能なシリコン単結晶の製造方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)