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1. (WO2018105113) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/105113 国際出願番号: PCT/JP2016/086775
国際公開日: 14.06.2018 国際出願日: 09.12.2016
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
出願人: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者: KOSUGI, Tetsuya; JP
MURATA, Hitoshi; JP
YAMAGUCHI, Takatomo; JP
SAIDO, Shuhei; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, COOLING UNIT, AND HEAT INSULATING STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, UNITÉ DE REFROIDISSEMENT, ET STRUCTURE D'ISOLATION THERMIQUE
(JA) 基板処理装置、クーリングユニット及び断熱構造体
要約:
(EN) A configuration provided with: an intake pipe which is provided for each zone to supply a gas for cooling a reaction pipe; a control valve with which the intake pipe is provided to adjust the flow volume of the gas; a buffer portion in which the gas supplied from the intake pipe is temporarily accumulated; and opening portions which are provided in the zone at regular intervals in a circumferential direction so as to blow out the gas accumulated in the buffer portion toward the reaction pipe. In the configuration, the flow volume of the gas introduced into the intake pipe is set in accordance with a length proportion in the vertical direction of the zone, thereby adjusting the flow volume and flow velocity of the gas, which is ejected out of the opening portions toward the reaction pipe by opening or closing the control valve.
(FR) La présente invention concerne une configuration qui comprend : un tuyau d'admission qui est prévu pour chaque zone pour fournir un gaz afin de refroidir un tuyau de réaction; une vanne de régulation avec laquelle le tuyau d'admission est prévu pour ajuster le volume d'écoulement du gaz; une partie tampon dans laquelle le gaz fourni par le tuyau d'admission est temporairement accumulé; et des parties d'ouverture qui sont disposées dans la zone à des intervalles réguliers dans une direction circonférentielle de façon à souffler le gaz accumulé dans la partie tampon vers le tuyau de réaction. Dans la configuration, le volume d'écoulement du gaz introduit dans le tuyau d'admission est réglé en fonction d'une proportion de longueur dans la direction verticale de la zone, ce qui permet d'ajuster le volume d'écoulement et la vitesse d'écoulement du gaz, qui est éjecté hors des parties d'ouverture vers le tuyau de réaction par ouverture ou fermeture de la vanne de régulation.
(JA) ゾーン毎に設けられ、反応管を冷却するガスを供給する吸気管と、該吸気管に設けられ、ガスの流量を調整する制御バルブと、吸気管から供給されたガスを一時的に溜めるバッファ部と、バッファ部で溜められたガスを反応管に向けて吹出すように、ゾーン内で周方向に同じ間隔で設けられる開口部と、を備えた構成により、ゾーンの上下方向の長さ比率に応じて吸気管に導入されるガスの流量を設定することにより、制御バルブを開閉させて開口部から反応管に向けて噴出されるガスの流量及び流速が調整される構成が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)