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1. (WO2018102001) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
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国際公開番号: WO/2018/102001 国際出願番号: PCT/US2017/050861
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 09.09.2017
IPC:
G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 16/16 (2006.01)
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
34
書込み状態の決定,例.閾値電圧,過書込みまたは不十分な書込み,保持
G 物理学
11
情報記憶
C
静的記憶
16
消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ
02
電気的にプログラム可能なもの
06
周辺回路,例.メモリへの書込み用
10
書込み回路またはデータ入力回路
14
電気的に消去するための回路,例.消去電圧制御回路
16
ブロック消去に関するもの,例.配列,ワード,グループ
出願人:
SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 6900 Dallas Parkway, Suite 325 Plano, Texas 75024, US
発明者:
ZHANG, Zhengyi; US
PANG, Liang; US
ZENG, Caifu; US
YU, Xuehong; US
DONG, Yingda; US
代理人:
MAGEN, Burt; US
優先権情報:
15/367,54902.12.2016US
発明の名称: (EN) EQUALIZING ERASE DEPTH IN DIFFERENT BLOCKS OF MEMORY CELLS
(FR) ÉGALISATION DE PROFONDEUR D'EFFACEMENT DANS DIFFÉRENTS BLOCS DE CELLULES DE MÉMOIRE
要約:
(EN) A memory device and associated techniques provide a uniform erase depth for different blocks of memory cells which are at different distances from pass gates of a voltage source. In one approach, a voltage of a source side select gate transistor of a memory string is a decreasing function of the distance. In another approach, a magnitude or duration of an erase voltage at a source end of a memory string is an increasing function of the distance. Adjacent blocks can be arranged in subsets and treated as being at a common distance. In another approach, an additional erase pulse can be applied when the distance of the block exceeds a threshold. Other variables such as initial erase voltage and step size can also be adjusted as a function of distance.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire et des techniques associées fournissant une profondeur d'effacement uniforme pour différents blocs de cellules de mémoire qui sont à des distances différentes des grilles de passage d'une source de tension. Selon une approche, une tension d'un transistor à grille de sélection côté source d'une chaîne de mémoire est une fonction décroissante de la distance. Selon une autre approche, une amplitude ou une durée d'une tension d'effacement à une extrémité source d'une chaîne de mémoire est une fonction croissante de la distance. Des blocs adjacents peuvent être agencés en sous-ensembles et traités comme étant à une distance commune. Selon une autre approche, une impulsion d'effacement supplémentaire peut être appliquée lorsque la distance du bloc dépasse un seuil. D'autres variables telles que la tension d'effacement initiale et la taille de l'étape peuvent également être réglées en fonction de la distance.
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)