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1. (WO2018101377) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
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国際公開番号: WO/2018/101377 国際出願番号: PCT/JP2017/042947
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 30.11.2017
IPC:
C07C 43/23 (2006.01) ,C07C 43/295 (2006.01) ,C07D 311/78 (2006.01) ,C08G 8/08 (2006.01) ,C08L 61/04 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
43
エーテル;「図」基,「図」基または「図」基をもつ化合物
02
エーテル
20
エーテル基の酸素原子が6員芳香環の炭素原子に結合しているもの
23
水酸基またはO―金属基を含有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
43
エーテル;「図」基,「図」基または「図」基をもつ化合物
02
エーテル
257
エーテル基の酸素原子がともに6員芳香環の炭素原子に結合しているもの
295
水酸基またはO―金属基を含有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
D
複素環式化合物(高分子化合物C08)
311
異項原子として1個の酸素原子のみをもつ6員環を含有し,他の環と縮合した複素環式化合物
02
炭素環または環系とオルト―またはペリ―縮合したもの
78
3個またはそれ以上の関連する環をもつ環系
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
04
アルデヒドの
08
ホルムアルデヒドの,例.その場で形成されたホルムアルデヒドの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
61
アルデヒドまたはケトンの縮重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04
アルデヒドまたはケトンとフェノールのみとの縮重合体
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko; JP
優先権情報:
2016-23233230.11.2016JP
発明の名称: (EN) COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMING METHOD, AND CIRCUIT PATTERN FORMING METHOD
(FR) COMPOSÉ, RÉSINE, COMPOSITIONS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE CIRCUIT
(JA) 化合物、樹脂、組成物並びにレジストパターン形成方法及び回路パターン形成方法
要約:
(EN) The present invention provides a compound having a specific structure represented by formula (0), a resin having a constituent unit derived from said compound, various compositions containing said compound and/or said resin, and various methods using said compositions.
(FR) L’invention concerne un composé qui possède une structure spécifique représentée par la formule (0), une résine possédant une unité structurale dérivée de ce composé, diverses compositions comprenant ce composé et/ou cette résine, et divers procédés mettant en œuvre cette composition.
(JA) 本発明は、下記式(0)で表される特定の構造を有する化合物、該化合物に由来する構成単位を有する樹脂、該化合物及び/又は該樹脂を含有する各種組成物、並びに該組成物を用いた各種方法である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)