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1. (WO2018101278) 酸化物又は酸窒化物絶縁体膜形成用塗布液、酸化物又は酸窒化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/101278 国際出願番号: PCT/JP2017/042686
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 28.11.2017
IPC:
H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
植田 尚之 UEDA, Naoyuki [JP/JP]; JP (US)
中村 有希 NAKAMURA, Yuki [JP/JP]; JP (US)
安部 由希子 ABE, Yukiko [JP/JP]; JP (US)
松本 真二 MATSUMOTO, Shinji [JP/JP]; JP (US)
曽根 雄司 SONE, Yuji [JP/JP]; JP (US)
早乙女 遼一 SAOTOME, Ryoichi [JP/JP]; JP (US)
新江 定憲 ARAE, Sadanori [JP/JP]; JP (US)
草柳 嶺秀 KUSAYANAGI, Minehide [JP/JP]; JP (US)
安藤 友一 ANDO, Yuichi [JP/JP]; JP (US)
株式会社リコー RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555, JP (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
発明者:
植田 尚之 UEDA, Naoyuki; JP
中村 有希 NAKAMURA, Yuki; JP
安部 由希子 ABE, Yukiko; JP
松本 真二 MATSUMOTO, Shinji; JP
曽根 雄司 SONE, Yuji; JP
早乙女 遼一 SAOTOME, Ryoichi; JP
新江 定憲 ARAE, Sadanori; JP
草柳 嶺秀 KUSAYANAGI, Minehide; JP
安藤 友一 ANDO, Yuichi; JP
代理人:
廣田 浩一 HIROTA, Koichi; JP
優先権情報:
2016-23352330.11.2016JP
発明の名称: (EN) COATING LIQUID FOR FORMING OXIDE OR OXYNITRIDE INSULATOR FILM, OXIDE OR OXYNITRIDE INSULATOR FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHODS FOR MANUFACTURING THESE
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR FORMER UN FILM ISOLANT D'OXYDE OU D'OXYNITRURE, FILM ISOLANT D'OXYDE OU D'OXYNITRURE, TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
(JA) 酸化物又は酸窒化物絶縁体膜形成用塗布液、酸化物又は酸窒化物絶縁体膜、電界効果型トランジスタ、及びそれらの製造方法
要約:
(EN) Provided is a coating liquid for forming an oxide or oxynitride insulator film, the coating liquid containing: element A; at least one of element B and element C; and a solvent, wherein the element A is at least one selected from the group consisting of Sc, Y, Ln (lanthanoid), Sb, Bi, and Te, the element B is at least one selected from the group consisting of Ga, Ti, Zr, and Hf, the element C is at least one selected from the group consisting of elements in group 2 of the periodic table, and the solvent contains at least one selected from the group consisting of water and organic solvents having a flash point of not lower than 21°C but lower than 200°C.
(FR) L'invention concerne un liquide de revêtement permettant de former un film isolant d'oxyde ou d'oxynitrure, le liquide de revêtement contenant : un élément A ; un élément B et/ou un élément C ; et un solvant, l'élément A étant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Sc, Y, Ln (lanthanoïde), Sb, Bi et Te, l'élément B étant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Ga, Ti, Zr et Hf, l'élément C étant au moins un élément choisi dans le groupe constitué par les éléments du groupe 2 du tableau périodique, et le solvant contient au moins un solvant choisi dans le groupe constitué par l'eau et les solvants organiques ayant un point d'éclair supérieur ou égal à 21 °C mais inférieur à 200 °C.
(JA) 酸化物又は酸窒化物絶縁体膜形成用塗布液であって、 第A元素と、第B元素及び第C元素の少なくともいずれかと、溶媒と、を含有し、 前記第A元素が、Sc、Y、Ln(ランタノイド)、Sb、Bi及びTeからなる群から選択される少なくとも1種であり、 前記第B元素が、Ga、Ti、Zr及びHfからなる群から選択される少なくとも1種であり、 前記第C元素が、周期表の第2族元素からなる群から選択される少なくとも1種であり、 前記溶媒が、引火点が21℃以上200℃未満である有機溶媒、及び水からなる群から選択される少なくとも1種を含む、酸化物又は酸窒化物絶縁体膜形成用塗布液である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)