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1. (WO2018101154) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/101154 国際出願番号: PCT/JP2017/042107
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 22.11.2017
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
発明者:
水村 通伸 MIZUMURA Michinobu; JP
新井 敏成 ARAI Toshinari; JP
畑中 誠 HATANAKA Makoto; JP
竹下 琢郎 TAKESHITA Takuro; JP
代理人:
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
優先権情報:
2016-23250530.11.2016JP
2016-25344827.12.2016JP
発明の名称: (EN) LASER IRRADIATION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
要約:
(EN) The laser irradiation device according to one embodiment of the present invention is provided with: a light source that generates a laser beam; a projection lens for irradiating a predetermined region of an amorphous silicon thin film with the laser beam, said amorphous silicon thin film being adhered to each of a plurality of thin film transistors on a glass substrate; and a projection mask pattern, which is provided on the projection lens, and which includes a plurality of masks, in which transmissivities, i.e., the rates at which the laser beam passes through, are set. Through each of the masks included in the projection mask pattern, the projection lens applies the laser beam to the thin film transistors on the glass substrate moving in the predetermined direction, and in each of the masks included in the projection mask pattern, any one of the transmissivities is set.
(FR) Le dispositif d'irradiation laser selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une source de lumière qui génère un faisceau laser; une lentille de projection pour irradier une région prédéterminée d'une couche mince de silicium amorphe avec le faisceau laser, ladite couche mince de silicium amorphe étant collée à chacun d'une pluralité de transistors à couches minces sur un substrat de verre; et un motif de masque de projection, qui est disposé sur la lentille de projection, et qui comprend une pluralité de masques, dans lesquels des transmissivités, c'est-à-dire les débits auxquels le faisceau laser passe à travers, sont définies. A travers chacun des masques inclus dans le motif de masque de projection, la lentille de projection applique le faisceau laser aux transistors à couches minces sur le substrat en verre se déplaçant dans la direction prédéterminée, et dans chacun des masques inclus dans le motif de masque de projection, l'une quelconque des transmissivités est réglée.
(JA) 本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射する投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該レーザ光が透過する割合である透過率が設定された複数のマスクを含む投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、所定の方向に移動する当該ガラス基板上の当該複数の薄膜トランジスタに対して、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々を介して当該レーザ光を照射し、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々は、複数の当該透過率のいずれかが設定される、レーザ照射装置。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)