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1. (WO2018101154) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/101154 国際出願番号: PCT/JP2017/042107
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 22.11.2017
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
出願人: V TECHNOLOGY CO., LTD.[JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
発明者: MIZUMURA Michinobu; JP
ARAI Toshinari; JP
HATANAKA Makoto; JP
TAKESHITA Takuro; JP
代理人: SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
優先権情報:
2016-23250530.11.2016JP
2016-25344827.12.2016JP
発明の名称: (EN) LASER IRRADIATION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
(JA) レーザ照射装置および薄膜トランジスタの製造方法
要約: front page image
(EN) The laser irradiation device according to one embodiment of the present invention is provided with: a light source that generates a laser beam; a projection lens for irradiating a predetermined region of an amorphous silicon thin film with the laser beam, said amorphous silicon thin film being adhered to each of a plurality of thin film transistors on a glass substrate; and a projection mask pattern, which is provided on the projection lens, and which includes a plurality of masks, in which transmissivities, i.e., the rates at which the laser beam passes through, are set. Through each of the masks included in the projection mask pattern, the projection lens applies the laser beam to the thin film transistors on the glass substrate moving in the predetermined direction, and in each of the masks included in the projection mask pattern, any one of the transmissivities is set.
(FR) Le dispositif d'irradiation laser selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : une source de lumière qui génère un faisceau laser; une lentille de projection pour irradier une région prédéterminée d'une couche mince de silicium amorphe avec le faisceau laser, ladite couche mince de silicium amorphe étant collée à chacun d'une pluralité de transistors à couches minces sur un substrat de verre; et un motif de masque de projection, qui est disposé sur la lentille de projection, et qui comprend une pluralité de masques, dans lesquels des transmissivités, c'est-à-dire les débits auxquels le faisceau laser passe à travers, sont définies. A travers chacun des masques inclus dans le motif de masque de projection, la lentille de projection applique le faisceau laser aux transistors à couches minces sur le substrat en verre se déplaçant dans la direction prédéterminée, et dans chacun des masques inclus dans le motif de masque de projection, l'une quelconque des transmissivités est réglée.
(JA) 本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、ガラス基板上の複数の薄膜トランジスタの各々に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、当該レーザ光を照射する投影レンズと、当該投影レンズ上に設けられ、当該レーザ光が透過する割合である透過率が設定された複数のマスクを含む投影マスクパターンと、を備え、当該投影レンズは、所定の方向に移動する当該ガラス基板上の当該複数の薄膜トランジスタに対して、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々を介して当該レーザ光を照射し、当該投影マスクパターンに含まれる当該複数のマスクの各々は、複数の当該透過率のいずれかが設定される、レーザ照射装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)