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1. (WO2018101028) スピン流磁化反転素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
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国際公開番号: WO/2018/101028 国際出願番号: PCT/JP2017/040910
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
H01L 29/82 (2006.01) ,G11B 5/39 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
G 物理学
11
情報記憶
B
記録担体と変換器との間の相対運動に基づいた情報記録
5
記録担体の磁化または減磁による記録;磁気的手段による再生;そのための記録担体
127
ヘッド,例.誘導型,の構造または製造
33
磁束感知ヘッドの構造または製造
39
磁気抵抗装置を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
発明者:
塩川 陽平 SHIOKAWA Yohei; JP
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
及川 亨 OIKAWA Tohru; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
優先権情報:
2016-23532702.12.2016JP
発明の名称: (EN) SPIN CURRENT MAGNETIZATION REVERSAL ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING SAME, MAGNETO RESISTIVE SENSOR, AND MAGNETIC MEMORY
(FR) ÉLÉMENT D'INVERSION DE MAGNÉTISATION DE COURANT DE SPIN, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, CAPTEUR MAGNÉTORÉSISTIF ET MÉMOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) スピン流磁化反転素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
要約:
(EN) This spin current magnetization reversal element comprises a first ferromagnetic metal layer having a variable direction of magnetization; and a spin-orbit torque wire that bonds to the first ferromagnetic metal layer and extends in a direction intersecting a facing direction of the first ferromagnetic metal layer. The spin-orbit torque wire is made of a non-magnetic body composed of two or more types of elements, and a composition ratio of the non-magnetic body has a non-uniform distribution between a first surface of the wire bonded to the first ferromagnetic metal layer and a second surface thereof positioned on a side opposite thereto.
(FR) L'invention concerne un élément d'inversion de magnétisation de courant de spin comprenant une première couche de métal ferromagnétique ayant une direction de magnétisation variable; et un fil de couple de spin-orbite qui se lie à la première couche de métal ferromagnétique et s'étend dans une direction croisant une direction de face de la première couche de métal ferromagnétique. Le fil de couple spin-orbite est constitué d'un corps non magnétique composé d'au moins deux types d'éléments, et un rapport de composition du corps non magnétique a une distribution non uniforme entre une première surface du fil lié à la première couche métallique ferromagnétique et une seconde surface de celui-ci positionnée sur un côté opposé à celle-ci.
(JA) 本発明のスピン流磁化反転素子は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層に接合し、前記第1強磁性金属層の面直方向に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線と、を備え、前記スピン軌道トルク配線が、2種類以上の元素からなる非磁性体で構成され、前記第1強磁性金属層と接合する第1面とその反対側に位置する第2面との間で、前記非磁性体の組成比が不均一な分布を有している。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)