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1. (WO2018100998) 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置

Pub. No.:    WO/2018/100998    International Application No.:    PCT/JP2017/040359
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Nov 10 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/146
H04N 5/357
H04N 5/374
H04N 5/3745
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: ARAKAWA Shinichi
荒川 伸一
Title: 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法、及び、撮像装置
Abstract:
グローバルシャッター方式の裏面照射型CMOSイメージセンサにおいて、光学ノイズを低減し、画質を改善する。 半導体基板と、前記半導体基板の裏面からの入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部が生成する電荷を一時的に保持する電荷保持部と、前記半導体基板の表裏を貫通して前記光電変換部と前記電荷保持部との間を仕切る第1貫通遮光膜と、前記半導体基板の表面外側に半導体材料で形成され前記第1貫通遮光膜を跨いで前記光電変換部と前記電荷保持部を接続する第1バイパス部と、前記第1バイパス部を介した前記光電変換部から前記電荷保持部への電荷転送を制御する制御部と、を備え、前記第1貫通遮光膜の表側の端部は、前記半導体基板の厚さ方向において、前記電荷保持部の表側端と同程度又は前記電荷保持部の表側端よりも表側方向に長く形成されている固体撮像素子。